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公开(公告)号：CN104538312A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410787935.9
申请日：2014-12-17
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海大学
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L23/36 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L23/3738
摘要： 本发明涉及一种利用氮化硼制备散热芯片的方法，属于散热技术领域。其通过沉积、刻蚀、旋涂、电化学转移和除PMMA制备得到利用氮化硼制备的散热芯片。本发明制备的散热芯片具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性，是具备高弹性、清洁超薄的散热片材料。
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公开(公告)号：CN107479148B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201710748723.3
申请日：2017-08-28
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明公开了一种光模块封装结构，包括：转接板，所述转接板具有顶面、与顶面相对的底面以及贯穿顶面和底面的第一通孔，所述转接板的顶面具有重布线结构和一个或多个第一焊盘；光芯片，所述光芯片安装在所述转接板的顶面，并与所述第一通孔相对；柔性板，所述柔性板具有第一面、与第一面相对的第二面、设置在第一面上的重布线层和第二焊盘、设置在第二面上的重布线层和输出焊盘、贯穿柔性板的导电通孔，用于在第一面和第二面之间形成电连接，其中所述柔性板能够弯折，且所述转接板顶部的至少一个第一焊盘电连接到所述柔性板第一面上的第二焊盘。本发明的实施例通过软板实现光模块插口与芯片相垂直，从而避免垂直打线。
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公开(公告)号：CN107942435B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201711171358.0
申请日：2017-11-22
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明的实施例公开了一种光模块，包括：圆柱阵列，所述圆柱的折射率为n1；形成在所述圆柱之间的有机物，所述圆柱阵列与所述有机物形成圆柱阵列模块，所述有机物的折射率为n2，并且n1>n2；以及安装在所述圆柱阵列模块顶面上的光发射元件和/或光接收元件，其中所述圆柱与光发射元件的发光区和/或所述光接收元件的感光区对准，以便作为光发射或接收通道。
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公开(公告)号：CN105140252B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510410477.1
申请日：2015-07-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品，它包括以下步骤：将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起；对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光，减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜，然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分，露出信号处理芯片的切割道；取透明基板，透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起，支撑墙位于信号处理芯片的切割道里；对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光，减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球；沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片，得到可直接进行贴装的单一芯片。本发明不用任何临时键合做辅助，简化了流程。
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公开(公告)号：CN105294609B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510801567.3
申请日：2015-11-18
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： C07D303/36 , C07D301/27 , C08G59/32 , C08G59/42
摘要： 本发明涉及一种多官能团低介电环氧树脂单体及其合成方法与应用，以脂肪族类基团为主干，同时含有多个环氧基团，具有低介电常数和耐高温性能双重特性。所述多官能团低介电环氧树脂单体的合成方法，包括以下步骤：（1）在反应容器中将双烷基苯胺和环氧氯丙烷于50‑80℃条件下搅拌进行开环反应，反应结束后，冷却至室温，除去未反应的环氧氯丙烷；（2）向反应容器中再加入无机碱，加热升温至50‑60℃，并在此温度下搅拌3‑20小时进行闭环反应得到所述的环氧树脂单体。由本发明所述多官能团低介电环氧树脂单体合成的聚合物具有高模量、高玻璃化转变温度和较高的热分解温度，在氮气中5%分解温度为290 ℃以上，具有较好的热稳定性；同时，它们具有较低的介电常数。
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公开(公告)号：CN107265391A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710512425.4
申请日：2017-06-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B7/0054 , B81B7/0058 , B81B7/007 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C2201/0174 , B81C2203/01
摘要： 本发明公开了一种MEMS封装结构，包括：第一基底，在所述第一基底的第一表面上形成有一个或多个MEMS器件和一个或多个金属焊盘；与所述金属焊盘连接并延伸到所述第一基底的第二表面的通孔，所述第二表面与所述第一表面相对；设置在所述通孔侧壁以及所述第二表面上的多层结构；设置在所述多层结构以及所述金属焊盘上的重布线层；设置在所述重布线层上的焊球；以及在所述第一基底的器件上方形成的盖帽，从而在所述盖帽和所述第一基底之间形成封装腔体，其中所述盖帽上具有一个或多个开孔，使得所述封装腔体与所述外界连通。
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公开(公告)号：CN104409424B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410818164.5
申请日：2014-12-24
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要： 本发明公开了一种基于玻璃转接板的叠层封装体及其制备方法，在经过背面减薄和露头的玻璃转接板的上表面堆叠芯片层，同时芯片层的外部和层间填充有密封材料，在密封材料与芯片层的上表面设有钝化层，在玻璃转接板的正面钝化层内嵌有正面布线，在背面钝化层内嵌有背面布线，背面布线与正面布线之间通过穿透玻璃转接板和包封体的金属柱相连。本发明实现了从玻璃转接板上表面到下表面堆叠芯片的直接互连，实现了基于玻璃转接板的叠层封装制作。避免了传统方法使用多层复杂布线工艺来达到上表面和下表面的电性连接、制作成本昂贵和良率低下等问题。
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公开(公告)号：CN104409374B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410799300.0
申请日：2014-12-18
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种永久性晶圆键合互连的方法。所要解决的技术问题是传统晶圆键合工艺中存在成本高、工艺步骤复杂、技术不成熟等缺点。本发明利用相变合金PCA具有在一定的条件下可以在导体与绝缘体两种状态下快速切换的特性，在晶圆的互连区域覆盖一层PCA，对需要导通的区域进行相变处理，使其转换成导电体，其他区域仍然维持绝缘状态，然后将两片经过上述处理的两片晶圆进行面对面键合。技术工艺具有简单可靠、成本低、容易实现的优点。
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公开(公告)号：CN103887231B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410131113.5
申请日：2014-04-02
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤：提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底；对衬底进行背面减薄，并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆一层背面介质层，覆盖衬底背面和突出衬底背部表面的TSV背面端头；利用CMP工艺对背面介质层进行平坦化处理并使TSV露出；利用刻蚀工艺处理露出的TSV，形成TSV和背面介质层的台阶；在衬底背面淀积粘附层和种子层；利用TSV和介质层的台阶进行微凸点或RDL光刻对准，完成制作微凸点或RDL工艺。本发明可避免金属对硅衬底的沾污，能够保证制作微凸点或RDL时的光刻精度。
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