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公开(公告)号：CN116775264A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210242874.2
申请日：2022-03-11
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/50
Abstract: 一种进程管理方法和电子设备。在该方法中，能在系统运行过程中实时将易失性内存中的进程数据迁移到非易失性内存。实施本申请提供的技术方案，在系统休眠时不需要打包备份内存中的数据，在系统唤醒或重启时也不需要解析重构数据，能快速休眠和唤醒系统。且即使面对意外掉电等情况而重启，也可以避免内存中的关键数据丢失，同样能提升系统唤醒或重启的速度。
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公开(公告)号：CN114695651A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641740.5
申请日：2020-12-31
Abstract: 一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
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公开(公告)号：CN112582531A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911394323.2
申请日：2019-12-30
Abstract: 一种磁性存储器以及磁性存储器的制备方法。所述磁性存储器包括重金属层、金属薄膜层以及磁性隧道结(MTJ)层。所述金属薄膜层位于所述重金属层和所述MTJ层之间，所述重金属层的材料的自旋轨道耦合效应强于所述金属薄膜层的材料的自旋轨道耦合效应。
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公开(公告)号：CN112748901B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
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公开(公告)号：CN118538776A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310199037.0
申请日：2023-02-23
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H10B12/00 , G11C16/04
Abstract: 本申请提供一种薄膜晶体管器件、存储芯片及电子设备。薄膜晶体管器件包括：衬底；位于衬底之上的沟道结构，沟道结构用于连接源极和漏极，沟道结构包括：层叠设置的第一沟道和第二沟道，第一沟道包括第一氧化物半导体材料，第二沟道包括第二氧化物半导体材料，第二氧化物半导体材料的迁移率大于第一氧化物半导体材料的迁移率；源极和漏极分别位于第二沟道的两侧，且源极和漏极包括第二氧化物半导体材料。在本申请实施例中，由于第二沟道的迁移率较高，可以提高沟道结构的迁移率，且源极和漏极本身是氧化物材料不容易被氧化，可以降低源极、漏极与沟道结构之间的接触电阻。从而提升薄膜晶体管器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053903A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211424129.6
申请日：2022-11-15
Abstract: 本申请提供了一种逻辑器件、逻辑电路和组合电路，通过分布在凸块周围的至少四个电极不仅可以提高逻辑器件的可靠性，而且可以优化逻辑器件的开关速度。同时，通过逻辑器件可以进一步构造逻辑电路，实现逻辑与、逻辑或、逻辑非等功能。逻辑器件可以包括基底和至少四个电极。基底设有凸块，基底和凸块可以分别采用铁电材料。至少四个电极可以分布在凸块周围。至少四个电极中每个电极的第一表面可以分别与凸块接触，且每个电极的第二表面可以分别与基底接触。
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公开(公告)号：CN116981255A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210399341.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请公开了一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器包括多个存储单元，该存储单元中的共振隧穿层包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一量子阱结构层，第二量子阱结构层以及第三量子阱结构层。其中，第三量子阱结构层的厚度大于第二量子阱结构层的厚度，且小于第一量子阱结构层的厚度。基于共振隧穿层中3个量子阱结构层的厚度关系，可以使该3个量子阱结构层能够产生共振，从而确保存储单元中的沟道与浮栅能够基于共振隧穿的方式实现双向的电子交换，有效提高了沟道与浮栅交换电子的速率。并且，沟道与浮栅基于共振隧穿的方式交换电子所需加载至控制栅极的电压较小，有效降低了对存储单元进行编程和擦除操作时的功耗。
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公开(公告)号：CN116070556A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111283778.4
申请日：2021-11-01
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种多级查找表电路，该电路可以应用于光模块、无线、神经网络等场景，该电路可以在上述场景中用于基于多个查找表求解目标函数的输出值，多个查找表包括第一查找表与第二查找表，目标函数的第一输入序列包括第一子集与第二子集；电路包括第一模块与第二模块。第一模块，用于基于第一子集与第一查找表确定第一函数的输出值，第一函数为目标函数中的嵌套函数。第二模块，用于基于第二子集、第二查找表以及第一函数的输出值确定目标函数的输出值。通过第一模块与第二模块的级联，可以减少目标函数对应电路的面积、延时和能耗。
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公开(公告)号：CN114816650A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110113718.1
申请日：2021-01-27
Abstract: 一种资源调度方法及装置，在该方法中，资源调度装置从多个第一候选方案中选择第一参考方案。第一候选方案的综合值指示第一候选方案在多个评价指标下的综合性能，根据多个第一候选方案获得多个第二候选方案。根据每个第二候选方案的综合值和差异值，从多个第二候选方案中选择目标资源调度方案，并根据目标资源调度方案进行资源调度。每个第二候选方案的综合值指示第二候选方案在多个评价指标下的综合性能，第二候选方案的差异值指示第二候选方案与第一参考方案的差异程度。目标资源调度方案考虑了第二候选方案在多个评价指标下的综合表现和第二候选方案与第一参考方案的差异性，使得后续利用目标资源调度方案能够达到较佳的资源调度效果。
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公开(公告)号：CN115220368A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110431220.X
申请日：2021-04-21
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种能量收集供电系统、管理方法以及管理设备。在该能量收集供电系统中，能量收集器与该多个外设设备以及管理设备连接，管理设备与该多个外设设备连接。能量收集器从环境中收集能量，为给该多个外设设备提供电量。管理设备检测能量收集器提供的能量，当检测到能量收集器提供的电量小于或等于阈值，控制多个外设设备中的至少部分外设设备从工作状态进入休眠状态，所述阈值是管理设备根据预先检测的多个外设设备进入休眠状态所需的电量确定的。本申请提供的能量收集供电系统能够保证该多个外设设备能够在能量收集器的电量不足的情况下，及时休眠，既能减少外设设备因突然中断工作所导致的损失，又能保证外设设备的工作时长。
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