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公开(公告)号：CN117616316A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202180100152.7
申请日：2021-09-18
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请的实施例提供一种光芯片及其制备方法、通信设备，涉及光通信技术领域，解决现有的光芯片中光波导在制备过程中尖端易断裂的问题。该光芯片包括衬底和设置在衬底上的第一介质层；第一介质层包括第一通孔；光芯片还包括填充在第一通孔内的光波导和第二介质层；其中，光波导在衬底上的投影呈条状，光波导包括第一子光波导，第一子光波导在衬底上的投影的至少部分的宽度逐渐减小；光波导与第一通孔的侧壁和第二介质层的另一侧面均接触，第二介质层的侧面还与第一通孔的另一侧壁接触。
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公开(公告)号：CN117083548A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202180065803.3
申请日：2021-12-06
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本申请实施例公开了一种芯片及光通信设备，芯片可以包括基底，位于基底一侧的绝缘层，以及绝缘层中的第一波导和第二波导，第二波导位于第一波导的背离基底的一侧，第一波导具有电光效应，第二波导的传输损耗低于第一波导的传输损耗，这样第一波导可以作为有源器件中的一部分，可以利用第一波导进行电光调制，第二波导可以作为无源器件，利用第二波导进行光信号的传输，第一波导的第一耦合部和第二波导的第二耦合部构成第一耦合结构，第一耦合结构用于实现第一波导和第二波导之间的光耦合，因此可以利用第一波导和第二波导实现有源器件和无源器件的集成，且集成后的芯片具有较好的传输特性且可以实现电光调制，进而提升光通信系统的性能。
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公开(公告)号：CN107710680B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680034646.9
申请日：2016-03-29
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H04L12/22
摘要： 本申请实施例公开了一种网络攻击防御策略的发送方法和装置，以及网络攻击防御方法和装置，其中，网络攻击防御策略的发送方法可包括：接收攻击信息，所述攻击信息包括目标网际协议IP地址，所述攻击信息用于指示第一网络中存在目的地址为所述目标IP地址的网络攻击报文；确定所述网络攻击报文通过第一边缘网络设备进入所述第一网络，所述第一边缘网络设备为所述第一网络中的边缘设备；向所述第一边缘网络设备发送防御策略，所述防御策略用于指示所述第一边缘网络设备根据所述防御策略处理目的地址为所述目标IP地址的报文。本申请可以降低网络攻击报文对网络资源的占用，改善对网络攻击报文的防御效果。
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公开(公告)号：CN106170865A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580018242.6
申请日：2015-04-17
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/49 , G02B6/13 , G02F1/025 , G02F1/015 , H01L29/167 , H01L29/06 , H01L29/51 , H01L29/94
摘要： 一种金属氧化物半导体(MOS)光学调制器，包括：具有波导结构的掺杂半导体层；设置在所述掺杂半导体层的波导结构上的介电层；设置在所述介电层上的栅极区，其中所述栅极区包括折射率比硅低的透明导电材料；以及设置在所述栅极区上的金属接触。所述金属接触、所述栅极区和所述掺杂半导体层的波导结构彼此可以垂直排列。
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公开(公告)号：CN118233111A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211633931.6
申请日：2022-12-19
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： H04L9/40
摘要： 本申请提供了一种攻击检测方法、系统及存储介质。本申请实现了基于专用芯片采样检测攻击，专用芯片基于第一采样比以及检测系统接收到的第一数据流，获取第一信息；专用芯片向CPU发送第一信息；CPU基于第一采样比以及第一信息，检测第一数据流的目的设备是否受到攻击。由于CPU检测攻击时，利用的数据是经过采样获得的信息，经过采样获得的信息的速率显著少于原始数据流的速率，因此大大减少了CPU检测攻击时所需处理的速率，降低了CPU的负载，进而降低了CPU负载过重对检测性能的影响。
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公开(公告)号：CN106461873B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201580023658.7
申请日：2015-04-30
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种装置，包括：基底，所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO2)材料；硅波导，所述硅波导包括第一绝热锥形，并且被封闭在所述二氧化硅材料中；以及低折射率波导，所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻近所述第一绝热锥形。一种模转换器制作方法，包括：获取模转换器，所述模转换器包括基底、硅波导和硬膜，所述硅波导设置在所述基底上且包括侧壁和第一绝热锥形，所述硬膜设置在所述硅波导上且包括二氧化硅(SiO2)层，其中所述硬膜不覆盖所述侧壁；以及氧化所述硅波导和所述硬膜，其中所述氧化所述硅波导和所述硬膜将所述硅波导封闭在所述二氧化硅层内。
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公开(公告)号：CN107407829B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680018147.0
申请日：2016-03-17
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 一种硅波导(110)，包括波导芯(118)，其包括第一正掺杂区域(111)，该区域也称为P1区域，第一正掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二正掺杂区域(112)，该区域也称为P2区域。P2区域(112)比P1区域(111)更重的正掺杂。第一负掺杂区域(114)，该区域也称为N1区域，垂直地邻近于第二负掺杂区域(113)，该区域也被称为N2区域。N2区域(113)比N1区域(114)更重的负掺杂。垂直邻近定位N2区域(113)和P2区域(112)以形成正‑负(PN)结。N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)定位为垂直的PN结并且用于，当施加电压降穿过N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)时，完全地耗尽P2区域(112)的正离子并且完全地耗尽N2区域(113)的负离子。
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公开(公告)号：CN110824729A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911019789.4
申请日：2015-04-17
申请人： 华为技术有限公司
摘要： 一种金属氧化物半导体(MOS)光学调制器，包括：具有波导结构的掺杂半导体层；设置在所述掺杂半导体层的波导结构上的介电层；设置在所述介电层上的栅极区，其中所述栅极区包括折射率比硅低的透明导电材料；以及设置在所述栅极区上的金属接触。所述金属接触、所述栅极区和所述掺杂半导体层的波导结构彼此可以垂直排列。
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公开(公告)号：CN107407829A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680018147.0
申请日：2016-03-17
申请人： 华为技术有限公司
IPC分类号： G02F1/025
摘要： 一种硅波导(110)，包括波导芯(118)，其包括第一正掺杂区域(111)，该区域也称为P1区域，第一正掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二正掺杂区域(112)，该区域也称为P2区域。P2区域(112)比P1区域(111)更重的正掺杂。第一负掺杂区域(114)，该区域也称为N1区域，垂直地邻近于第二负掺杂区域(113)，该区域也被称为N2区域。N2区域(113)比N1区域(114)更重的负掺杂。垂直邻近定位N2区域(113)和P2区域(112)以形成正-负(PN)结。N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)定位为垂直的PN结并且用于，当施加电压降穿过N1区域(114)、N2区域(113)、P1区域(111)以及P2区域(112)时，完全地耗尽P2区域(112)的正离子并且完全地耗尽N2区域(113)的负离子。
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公开(公告)号：CN106461873A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023658.7
申请日：2015-04-30
申请人： 华为技术有限公司
CPC分类号： G02B6/14 , G02B6/1228 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/305
摘要： 一种装置，包括：基底，所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO2)材料；硅波导，所述硅波导包括第一绝热锥形，并且被封闭在所述二氧化硅材料中；以及低折射率波导，所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻近所述第一绝热锥形。一种模转换器制作方法，包括：获取模转换器，所述模转换器包括基底、硅波导和硬膜，所述硅波导设置在所述基底上且包括侧壁和第一绝热锥形，所述硬膜设置在所述硅波导上且包括二氧化硅(SiO2)层，其中所述硬膜不覆盖所述侧壁；以及氧化所述硅波导和所述硬膜，其中所述氧化所述硅波导和所述硬膜将所述硅波导封闭在所述二氧化硅层内。
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