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公开(公告)号：CN118042656B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410291985.1
申请日：2024-03-14
摘要： 本发明提供了一种用于蓝宝石窗口的电加热膜及其制备方法，电加热膜包括依次设置在蓝宝石窗口上的基于图案设计的结合层、导电层和连接层以及镀制在所述蓝宝石窗口的空白区域以及连接层之上的保护层。该电加热膜的透明波段宽，光学透过率高，且降低了对光学成像系统的影响。
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公开(公告)号：CN115710686B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211572790.1
申请日：2022-12-08
摘要： 本发明公开了一种高附着力Cu薄膜电极，由下至上依次为光学基片、电加热膜、过渡连接层、Cu薄膜；所述过渡连接层采用金属铬膜，厚度为12nm～15nm；本发明所得金属薄膜电极具有优良牢固度，和光学基片表面膜层的附着力优良；可以实现膜层焊接不穿孔脱落、电阻值低，易于在其表面采用焊接的方式连接引线，且多次通电稳定可靠，环境适应性好；形状和轮廓可以根据设计要求进行定制，设计合适结构的镀膜治具即可实现各种形状金属薄膜电极的镀制。
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公开(公告)号：CN118042656A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410291985.1
申请日：2024-03-14
摘要： 本发明提供了一种用于蓝宝石窗口的电加热膜及其制备方法，电加热膜包括依次设置在蓝宝石窗口上的基于图案设计的结合层、导电层和连接层以及镀制在所述蓝宝石窗口的空白区域以及连接层之上的保护层。该电加热膜的透明波段宽，光学透过率高，且降低了对光学成像系统的影响。
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公开(公告)号：CN115710686A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211572790.1
申请日：2022-12-08
摘要： 本发明公开了一种高附着力Cu薄膜电极，由下至上依次为光学基片、电加热膜、过渡连接层、Cu薄膜；所述过渡连接层采用金属铬膜，厚度为12nm～15nm；本发明所得金属薄膜电极具有优良牢固度，和光学基片表面膜层的附着力优良；可以实现膜层焊接不穿孔脱落、电阻值低，易于在其表面采用焊接的方式连接引线，且多次通电稳定可靠，环境适应性好；形状和轮廓可以根据设计要求进行定制，设计合适结构的镀膜治具即可实现各种形状金属薄膜电极的镀制。
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公开(公告)号：CN109182969B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811002458.5
申请日：2018-08-30
申请人： 湖北久之洋红外系统股份有限公司
摘要： 本发明公开了中波红外光学硬质保护膜的制备方法。该方法包括基片清洗、过渡层的制备、光学匹配层的制备、保护层的制备、真空退火处理等步骤。通过本方法制备的硬质保护膜系在中波红外3‑5μm波段的平均透过率不低于93％，经微纳米压痕测试的硬度值不低于18GPa，弹性模量不低于160GPa。并根据GJB150.A要求的环境筛选试验进行了试验，硬质保护膜系一次性通过了环境筛选试验，验证了其良好的环境适应性能。
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公开(公告)号：CN114114490B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111476204.9
申请日：2021-12-06
申请人： 湖北久之洋红外系统股份有限公司
IPC分类号： G02B5/08 , G02B1/14 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/12 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/30
摘要： 本发明公开了一种超低应力耐久性金属反射膜及其制备方法和应用。该金属反射膜，依次包括Cr膜层、Al或Ag反射层、介质保护层或增强层和防潮防霉憎水膜层，其中Cr膜层的厚度为10～50nm；当选择Ag膜层时，Cr膜层和Al膜层之间还包括Cu膜层。其制备为：基片进行基础清洗和离子束清洗，然后依次镀制Cr膜层、Al反射层(或Cu膜层和Ag反射层)、介质保护层或增强层、防潮防霉憎水膜，即得金属反射膜。该反射膜全膜系膜层应力低，膜层应力可调控，薄膜附着力、耐摩擦和环境稳定性优良，同时可根据光学元件的需求实现宽波段高反，且反射率高，可以广泛应用于对光学元件面形精度要求高、成像像质要求高的光学系统中。
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公开(公告)号：CN114774847B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210417379.0
申请日：2022-04-20
申请人： 湖北久之洋红外系统股份有限公司
IPC分类号： G02B1/115
摘要： 本发明公开了一种大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的制备方法，包括以下步骤：1)大尺寸红外光学元件无损清洗；2)采用离子辅助电子束蒸发工艺在清洗后的大尺寸红外光学元件表面依次镀制光学过渡层及应力匹配层，形成张应力层，张应力层厚度不低于400nm，应力值不低于200MPa；3)通过RF‑PECVD法在步骤2)所得张应力层上制备类金刚石薄膜作为压应力层，厚度不高于700nm，压应力不高于350MPa，即得大尺寸红外光学元件低应力薄膜。所得薄膜应力低，满足大尺寸红外光学元件低应力保护增透膜系的工艺需求，解决大尺寸红外光学元件成膜应力高的膜层脱落问题，有效提升了大尺寸红外光学元件的恶劣环境下的适应性及可靠性。
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公开(公告)号：CN116056437A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211573651.0
申请日：2022-12-08
申请人： 湖北久之洋红外系统股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种随机结构金属网栅电磁屏蔽薄膜设计及制备方法，其在二维平面生成规则周期点阵；对规则周期点阵中的每个点做随机扰动，得到非规则随机点阵；将随机点阵分割为Delaunay三角网，划分为泰森多边形，得到随机结构金属网栅图案；检查随机结构金属网栅的结构参数是否达到预期标准，包括网孔随机程度、光学透过率、次级衍射分布和电磁屏蔽效能；若没有达到标准，则重复进行规则周期点阵的随机扰动和泰森多边形划分，直至达到预期标准；本发明设计并制备了一种随机结构金属网栅电磁屏蔽薄膜，易于设计和加工，还可根据光学系统对光学性能和电磁屏蔽效能的具体要求对随机结构金属网栅的结构参数进行针对性调整，可应用于不同的工况环境。
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