公开(公告)号：CN221925415U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202420509494.5

申请日：2024-03-15

Applicant: 华东光电集成器件研究所 ,  苏州容启传感器科技有限公司

Inventor： 鞠莉娜 ,  蒋鹏 ,  李思博 ,  孙宏霖

IPC: G01K13/00 ,  H05B3/06 ,  H05B3/02 ,  H05B1/02

Abstract: 本实用新型公开了一种封装基板和测温设备，涉及封装基板技术领域，以解决加热电阻和热敏电阻分别采用微组装工艺利用胶额外粘结在基板的表面，由于胶有热阻，此时会导致热敏电阻测得的基板温度与基板的实际温度有差异，进而导致测量精度偏低的问题。所述封装基板包括基板、加热件、测温件和多个焊盘。基板具有相对的第一面和第二面，加热件嵌入基板中，用于加热基板。测温件嵌入基板中，测温件与加热件连接。测温件用于获取基板的温度，以及用于根据基板的温度控制加热件对基板提供的热量。多个焊盘设置于基板、加热件和测温件。

公开(公告)号：CN102111105A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910251520.9

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 陈远金 ,  汪健 ,  鞠莉娜 ,  余向阳 ,  王少轩 ,  刘庆飞

IPC: H02P29/00

Abstract: 本发明涉及一种由集成电路构成的基于H桥驱动器的电机控制器，包括智能数据接口电路、信号检测电路、片选译码电路、控制逻辑电路以及3路电机控制通道，通过对写入接口电路的数据进行分析和计算，得到电机控制脉宽的周期、死区、正负脉冲的长度等信息，并结合可编程分频电路给出的分频因子产生脉冲宽度调制电路所需的输入信息，脉冲宽度调制状态机电路根据信息输出预定要求的数字信号给H桥驱动器。与外设单片机(或控制器)相比，本发明能显著减轻的运算时间和硬件成本，且内置的高分辨率的计数器能够提供非常平滑和灵敏的电机驱动信号，结合智能数据接口电路使得其能适应不同的外设数据宽度，可编程分频电路能提供更为宽广的调制信号周期和宽度。

公开(公告)号：CN115574660A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211322457.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 蒋鹏 ,  鞠莉娜 ,  曾鑫 ,  王子 ,  徐彤

IPC: F41B6/00 ,  F41F1/00 ,  F16F15/08

Abstract: 本发明公开了一种惯性微系统组件的抗高过载异质集成结构，包括置于惯性微系统组件的金属外壳内的底部缓冲壳体和顶部橡胶垫，两者形成的内部型腔用于容纳惯性微系统组件的电子学系统，本发明中底部缓冲壳体的底面由泡沫金属缓冲结构与橡胶减振结构构成，两者采用橡胶减振结构环绕契合泡沫金属缓冲结构外表面的方式进行异质集成。本发明通过橡胶与泡沫金属的异质集成结构，实现惯性微系统组件的抗高过载与减振特性，以及内部电子学系统装配稳定性与可靠性。

公开(公告)号：CN118706112A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410853728.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方澍 ,  王甫 ,  鞠莉娜 ,  黄艳辉

IPC: G01C21/16 ,  G01C21/18 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请公开了一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法，敏感结构包括衬底、敏感结构层和盖帽，敏感结构层包括敏感质量块和连接在敏感质量块上的梳齿电容，敏感质量块通过弹性支撑梁连接在衬底上，且敏感质量块悬空，敏感质量块上设有通孔；盖帽底面具有外凸的密封围框和阻挡块，阻挡块的外周设有软质金属层，阻挡块位于密封围框内，阻挡块贯穿通孔和衬底相连接，密封围框和衬底相连接；阻挡块和密封围框之间形成深空腔，以密封敏感质量块、梳齿电容和弹性支撑梁。本申请使敏感结构在强烈的过载冲击下得到保护。

公开(公告)号：CN115676771A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211322481.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 蒋鹏 ,  鞠莉娜 ,  王子 ,  徐彤

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法，该MEMS惯性微模组对ASIC芯片进行双面PAD工艺，将ASIC的两种互联信号进行上下面的分别引出，ASIC芯片顶面PAD设计为与MEMS敏感结构芯片互联信号接口，底面PAD设计为与封装管壳互联的引出信号接口，ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠。本发明将MEMS敏感结构芯片放置于ASIC芯片上方，可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高MEMS惯性微模组整体抗高过载能力。同时将ASIC芯片置于MEMS敏感结构下方，可直接通过植微球焊接的方式将引出信号直接连接到封装管壳上，减少额外的信号互联形式，降低工艺组装复杂度，提升高过载环境下的可靠性。

公开(公告)号：CN116169105A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310196813.1

申请日：2023-03-03

Applicant: 扬州大学 ,  华东光电集成器件研究所 ,  扬州扬福科技有限公司

Inventor： 刘洋 ,  苏亚慧 ,  吴晨成 ,  鞠莉娜 ,  薛玉雄 ,  曹荣幸 ,  翟建青

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种高导热堆叠芯片结构及制备方法，堆叠结构将硅片直立起来，利用硅片侧面焊盘以及侧面焊球与基板相连，硅片与硅片之间通过正面与背面的焊盘以及焊球进行连接，如此形成一种硅片直立排列的结构。芯片直立排列结构相较于传统的三维堆叠结构，散热效果明显更好，各芯片的温度更均匀，没有出现传统三维堆叠结构中自下而上芯片温度逐渐升高的情况。