公开(公告)号：CN115676771A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211322481.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 蒋鹏 ,  鞠莉娜 ,  王子 ,  徐彤

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法，该MEMS惯性微模组对ASIC芯片进行双面PAD工艺，将ASIC的两种互联信号进行上下面的分别引出，ASIC芯片顶面PAD设计为与MEMS敏感结构芯片互联信号接口，底面PAD设计为与封装管壳互联的引出信号接口，ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠。本发明将MEMS敏感结构芯片放置于ASIC芯片上方，可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高MEMS惯性微模组整体抗高过载能力。同时将ASIC芯片置于MEMS敏感结构下方，可直接通过植微球焊接的方式将引出信号直接连接到封装管壳上，减少额外的信号互联形式，降低工艺组装复杂度，提升高过载环境下的可靠性。

公开(公告)号：CN115574660A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211322457.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 蒋鹏 ,  鞠莉娜 ,  曾鑫 ,  王子 ,  徐彤

IPC: F41B6/00 ,  F41F1/00 ,  F16F15/08

Abstract: 本发明公开了一种惯性微系统组件的抗高过载异质集成结构，包括置于惯性微系统组件的金属外壳内的底部缓冲壳体和顶部橡胶垫，两者形成的内部型腔用于容纳惯性微系统组件的电子学系统，本发明中底部缓冲壳体的底面由泡沫金属缓冲结构与橡胶减振结构构成，两者采用橡胶减振结构环绕契合泡沫金属缓冲结构外表面的方式进行异质集成。本发明通过橡胶与泡沫金属的异质集成结构，实现惯性微系统组件的抗高过载与减振特性，以及内部电子学系统装配稳定性与可靠性。