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公开(公告)号：CN115389823B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202211037858.6
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 樊奔 , 徐圣亚 , 卜洪波 , 孙启扬 , 戴立群 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 翟国芳 , 张旭 , 程甘霖 , 韩立镪 , 陈瑞明
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种探测器光电二极管节点电容测试装置和方法，属于光电探测器技术领域。所述方法包括控制开关导通，由外部电源向校准电容和像元阵列光电二极管节点电容充电至第一电压。该方法还包括控制开关断开，并在探测器开始曝光状态后由校准电容向像元阵列光电二极管节点电容供电，多帧曝光使校准电容电压降至第二电压。该方法还包括在每帧曝光后读取探测器输出信号值，多帧曝光结束后测量校准电容的电压变化。
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公开(公告)号：CN115441874B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210926994.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种十四位分辨率两级循环型模数转换器，包括6位分辨率的第一级乘法数模转换器单、9位分辨率的第二级乘法数模转换器单元、冗余加法模块、时钟相位高精度可调模块。本发明通过“6位+9位”的两级循环的结构设计，相对于单级14位循环型模数转换器大幅度降低了功耗，满足低功耗模数转换的应用。
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公开(公告)号：CN116193280B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211610646.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明提供一种高速全局快门像素电路及其控制方法，通过控制开关，采样电容构成网络结构，在工作时序的控制下，完成片内相关双采样操作，并实现高低增益的信号的独立存储，完成相应的存储后，能进一步实现逐行的高低增益信号的读出操作。
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公开(公告)号：CN117319824A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311118187.0
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 陈瑞明 , 张旭 , 程甘霖 , 王耕耘 , 谢莉莉 , 姚瑶 , 吴淞波 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 张芮萌 , 樊奔 , 潘卫军 , 柴瑞青 , 谢圣文
IPC: H04N25/78 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N25/75
Abstract: 本发明涉及一种低噪声大满阱TDI‑CMOS图像传感器读出电路，属于CMOS图像传感器领域；包括埋沟型CCD结构和读出模块；埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个CCD电极等间隔分布在n型埋沟的上表面；传输栅TG设置在n型埋沟的上表面，且位于4个CCD电极的外侧；n型埋沟的上表面设置有凹槽；读出模块包括FD节点和模拟读出前级电路；FD节点与模拟读出前级电路连接；FD节点伸入凹槽中，实现读出模块与n型埋沟连接；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在高埋沟耗尽电势、高电荷转移效率、大满阱埋沟CCD像素设计前提下提升传感器的噪声性能。
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公开(公告)号：CN116314217A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211599889.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 一种适用于大面阵高帧频高满阱CMOS图像传感器的像元结构，属于遥感技术领域。本发明采用环栅结构的感光区域部分所采用的环栅结构具备抗辐照能力，同时环栅所形成的各向同性特点，能够保证电荷转移过程中各项的一致性，而且能够有效增大满阱；同时，叉指状的PDN区域以及阶梯状的掺杂工艺流程，可以进一步提高光生电荷的转移效率，能使满阱状态下(≥500ke)的电子在不到1us的时间内完成转移，转移效率可以达到99.99％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115441874A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210926994.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种十四位分辨率两级循环型模数转换器，包括6位分辨率的第一级乘法数模转换器单、9位分辨率的第二级乘法数模转换器单元、冗余加法模块、时钟相位高精度可调模块。本发明通过“6位+9位”的两级循环的结构设计，相对于单级14位循环型模数转换器大幅度降低了功耗，满足低功耗模数转换的应用。
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公开(公告)号：CN118983300A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410966953.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种提高干法刻蚀精度的薄膜辅助方法和干法刻蚀产品。在待刻材料表面设计一刻蚀监控区A，通过监控A区的材料刻蚀情况来得到器件刻蚀区域B的材料刻蚀情况。通常在材料刻蚀前，会在待刻蚀材料的表面生长一层介质层，用来作为材料刻蚀的掩膜层。将A区掩膜层设计为具有周期性图案的介质薄膜。在材料刻蚀过程中，通过该具有周期性图案的薄膜对EPD信号进行调制和放大，从而加强EPD信号的强度和可分析性。通过监控区的材料刻蚀情况来得到器件区的材料刻蚀情况。周期性图案覆盖区域与从待刻蚀材料区域反射回的光发生干涉叠加，不仅改善了EPD监控曲线的形态，还提高了其强度，使得原本难以监控的薄膜厚度变化变得可实时精确监控。
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公开(公告)号：CN115469706B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202211085702.5
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压差稳压器，该低压差稳压器包括第一带隙基准源电路、误差放大器、P型传输管、电阻RF1、电阻RF2、电容C0；第一带隙基准源电路，用于产生与温度无关的基准电压信号，电压信号连接至误差放大器的负输入端，误差放大器的输出端连接P型传输管的栅极；误差放大器的供电端和P型传输管的源端、衬底均连接至电源VDD，P型传输管的漏端同时连接电阻RF1和电容C0的一端，电阻RF1的另一端连接误差放大器的正输入端和电阻RF2,电阻RF2的另一端和电容C0的另一端接地。
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公开(公告)号：CN117061893A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310768583.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 潘卫军 , 韩立镪 , 程甘霖 , 吴淞波 , 王耕耘 , 张旭 , 孙启扬 , 卜洪波 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 谢莉莉 , 戴立群 , 张芮萌 , 姚瑶 , 樊奔 , 陈瑞明
Abstract: 具有双段独立可控时序驱动的TDI系统，适用于空间遥感推扫或摆扫应用的TDI型器件，其主要应用特征为TDI器件的像元可以分成若干段，每一段可以用独立的时序驱动电路驱动，使每一段像元可以在不同的时序控制下工作。本发明克服传统TDI器件由于整行像元由单一时序驱动控制引入较大的像移偏差，导致器件动态MTF指标严重劣化的弊端，采用分段独立时序驱动的控制方式，将原有的像移偏差减小至传统驱动架构的一半，极大地提升了器件的动态MTF指标。
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公开(公告)号：CN115692537A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211216724.0
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352
Abstract: 一种基于InAs/InAsSb II类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器，包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、外延薄膜、上电极、下电极、钝化层，外延薄膜包括下接触层、短波红外吸收层、中波红外吸收层、势垒层、上接触层，能够解决现有双色红外探测器暗电流高、探测性能低的问题，通过将InAs/InAsSb超晶格与本发明的能带结构结合起来，可实现低暗电流、高探测率的双色红外探测。
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