成像分辨率可配置多谱段TDI-CMOS图像传感器

    公开(公告)号:CN116782046B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202310762773.2

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种成像分辨率可配置多谱段TDI‑CMOS图像传感器,包括:多谱段像元阵列、时序驱动电路、数字binning读出电路和配置电路;其中,所述多谱段像元阵列将光信号转换为图像电信号,将图像电信号传输给所述数字binning读出电路;所述数字binning读出电路接收图像电信号,将图像电信号进行数字量化、水平方向数字binning操作,输出处理后数字图像;所述时序驱动电路给所述多谱段像元阵列提供正常工作的时序;所述配置电路对时序驱动电路和数字binning读出电路的工作模式进行设置,同时检测电路工作状态。本发明满足系统对分辨率和信噪比要求,减少片外数据存储和数据处理的资源占用。

    一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块

    公开(公告)号:CN115955613B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202211436544.3

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块,属于CMOS图像传感器领域;包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy、电容Cfilter;其中,单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端,每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端;每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地,另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接;斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联;实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡;本发明可消除输出点的毛刺glitch电压,进而提升整体读出电路的噪声、微分非线性、积分非线性性能,并可降低不同芯片之间的斜坡偏差。

    一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块

    公开(公告)号:CN115955613A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211436544.3

    申请日:2022-11-16

    Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块,属于CMOS图像传感器领域;包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy、电容Cfilter;其中,单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端,每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端;每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地,另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接;斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联;实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡;本发明可消除输出点的毛刺glitch电压,进而提升整体读出电路的噪声、微分非线性、积分非线性性能,并可降低不同芯片之间的斜坡偏差。

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