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公开(公告)号:CN116782046B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202310762773.2
申请日:2023-06-26
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明公开了一种成像分辨率可配置多谱段TDI‑CMOS图像传感器,包括:多谱段像元阵列、时序驱动电路、数字binning读出电路和配置电路;其中,所述多谱段像元阵列将光信号转换为图像电信号,将图像电信号传输给所述数字binning读出电路;所述数字binning读出电路接收图像电信号,将图像电信号进行数字量化、水平方向数字binning操作,输出处理后数字图像;所述时序驱动电路给所述多谱段像元阵列提供正常工作的时序;所述配置电路对时序驱动电路和数字binning读出电路的工作模式进行设置,同时检测电路工作状态。本发明满足系统对分辨率和信噪比要求,减少片外数据存储和数据处理的资源占用。
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公开(公告)号:CN115951935B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202211706564.8
申请日:2022-12-29
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种适用于抗辐照图像传感器的寄存器配置控制系统,属于航天遥感技术领域。本发明通过设计串行控制多路选择器、图像传感器成像区域寄存器配置控制总线、图像传感器成像区域寄存器配置控制模块,实现大靶面图像传感器控制寄存器分区域的控制;本发明通过设计影子寄存器模块分组控制策略,实现复杂寄存器组同步刷新控制;本发明通过寄存器码表三模冗余控制模块、寄存器组版图设计间隙控制,实现大靶面图像传感器抗单粒子翻转。
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公开(公告)号:CN117319824A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311118187.0
申请日:2023-08-31
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor: 韩立镪 , 陈瑞明 , 张旭 , 程甘霖 , 王耕耘 , 谢莉莉 , 姚瑶 , 吴淞波 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 张芮萌 , 樊奔 , 潘卫军 , 柴瑞青 , 谢圣文
IPC: H04N25/78 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N25/75
Abstract: 本发明涉及一种低噪声大满阱TDI‑CMOS图像传感器读出电路,属于CMOS图像传感器领域;包括埋沟型CCD结构和读出模块;埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG;n型埋沟设置在p型衬底的上表面;4个CCD电极等间隔分布在n型埋沟的上表面;传输栅TG设置在n型埋沟的上表面,且位于4个CCD电极的外侧;n型埋沟的上表面设置有凹槽;读出模块包括FD节点和模拟读出前级电路;FD节点与模拟读出前级电路连接;FD节点伸入凹槽中,实现读出模块与n型埋沟连接;本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器,尤其可在高埋沟耗尽电势、高电荷转移效率、大满阱埋沟CCD像素设计前提下提升传感器的噪声性能。
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公开(公告)号:CN116314217A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202211599889.0
申请日:2022-12-12
Applicant: 北京空间机电研究所
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 一种适用于大面阵高帧频高满阱CMOS图像传感器的像元结构,属于遥感技术领域。本发明采用环栅结构的感光区域部分所采用的环栅结构具备抗辐照能力,同时环栅所形成的各向同性特点,能够保证电荷转移过程中各项的一致性,而且能够有效增大满阱;同时,叉指状的PDN区域以及阶梯状的掺杂工艺流程,可以进一步提高光生电荷的转移效率,能使满阱状态下(≥500ke)的电子在不到1us的时间内完成转移,转移效率可以达到99.99%以上。
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公开(公告)号:CN118866927A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411331939.6
申请日:2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor: 王小勇 , 潘卫军 , 韩立镪 , 王耕耘 , 程甘霖 , 吴淞波 , 樊奔 , 张旭 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 谢圣文 , 谢莉莉 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 姚瑶 , 陈瑞明
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构,属于半导体领域;Si:N结构为正方体结构;其中n个竖直#imgabs0#层均匀贴附在Si:N结构的前侧壁处;另外n个竖直#imgabs1#层对称均匀贴附在Si:N结构的后侧壁处;水平#imgabs2#层均匀贴附在Si:N结构的上表面;每个竖直#imgabs3#层上对应安装1个竖直MOS结构;水平MOS结构均匀贴附在水平#imgabs4#层的上表面;每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极;n为不小于2的正整数;本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储,极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率,从而实现像元满阱的大幅提升;同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率,实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
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公开(公告)号:CN116972987A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310775471.9
申请日:2023-06-28
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor: 谢莉莉 , 孙启扬 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 樊奔 , 戴立群 , 卜洪波 , 程甘霖 , 潘卫军 , 王耕耘 , 吴淞波 , 姚瑶 , 张旭 , 韩立镪 , 张芮萌 , 陈瑞明
IPC: G01J5/90
Abstract: 一种红外探测器测试分析方法,通过分别获取待测红外探测器的归一化相对光谱响应曲线、表面漏电流密度、激活能、横向扩散长度进行红外探测器综合性能分析,能够充分评价红外探测材料、制备工艺与器件性能,作为改进器件质量的关键迭代优化依据,提出更准确的响应光谱测试方法,可排除暗电流和背景辐射的影响,更适用于红外光子探测器,包括光电导型和光伏型光子探测器。
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公开(公告)号:CN115951935A
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202211706564.8
申请日:2022-12-29
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 一种适用于抗辐照图像传感器的寄存器配置控制系统,属于航天遥感技术领域。本发明通过设计串行控制多路选择器、图像传感器成像区域寄存器配置控制总线、图像传感器成像区域寄存器配置控制模块,实现大靶面图像传感器控制寄存器分区域的控制;本发明通过设计影子寄存器模块分组控制策略,实现复杂寄存器组同步刷新控制;本发明通过寄存器码表三模冗余控制模块、寄存器组版图设计间隙控制,实现大靶面图像传感器抗单粒子翻转。
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公开(公告)号:CN115955613B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202211436544.3
申请日:2022-11-16
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块,属于CMOS图像传感器领域;包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy、电容Cfilter;其中,单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端,每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端;每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地,另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接;斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联;实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡;本发明可消除输出点的毛刺glitch电压,进而提升整体读出电路的噪声、微分非线性、积分非线性性能,并可降低不同芯片之间的斜坡偏差。
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公开(公告)号:CN117061893A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310768583.1
申请日:2023-06-27
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor: 潘卫军 , 韩立镪 , 程甘霖 , 吴淞波 , 王耕耘 , 张旭 , 孙启扬 , 卜洪波 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 谢莉莉 , 戴立群 , 张芮萌 , 姚瑶 , 樊奔 , 陈瑞明
Abstract: 具有双段独立可控时序驱动的TDI系统,适用于空间遥感推扫或摆扫应用的TDI型器件,其主要应用特征为TDI器件的像元可以分成若干段,每一段可以用独立的时序驱动电路驱动,使每一段像元可以在不同的时序控制下工作。本发明克服传统TDI器件由于整行像元由单一时序驱动控制引入较大的像移偏差,导致器件动态MTF指标严重劣化的弊端,采用分段独立时序驱动的控制方式,将原有的像移偏差减小至传统驱动架构的一半,极大地提升了器件的动态MTF指标。
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公开(公告)号:CN115955613A
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202211436544.3
申请日:2022-11-16
Applicant: 北京空间机电研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于CMOS图像传感器的高速高精度斜坡生成模块,属于CMOS图像传感器领域;包括2N+2M个电流舵单元、单向斜坡控制模块、电阻Rload、电阻Rdummy、电容Cfilter;其中,单向斜坡控制模块设置有2N+2M控制信号输出端,每个输出端分别连接在对应1个电流舵单元的2个输入端;每个电流舵单元的一个输出端连接电阻Rdummy后接地,另一个输出端与斜坡参考电压输出点Vout连接;斜坡参考电压输出点Vout分别与电阻Rload和电容Cfilter并联;实现台阶形式的信号经过滤波生成斜坡;本发明可消除输出点的毛刺glitch电压,进而提升整体读出电路的噪声、微分非线性、积分非线性性能,并可降低不同芯片之间的斜坡偏差。
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