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公开(公告)号：CN118969700A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411433552.1
申请日：2024-10-15
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本申请提供一种寻边定位方法，涉及晶圆加工技术领域，寻边机构包括定位基座，定位基座上设有第一检测孔和第二检测孔，以第一检测孔圆心与第二检测孔圆心之间的连线设为定位基准线；方法包括以下步骤：晶圆完全遮挡第一检测孔和第二检测孔获取上述情况下第一检测孔和第二检测孔内的检测值；驱动晶圆旋转，使晶圆的定位边与第一检测孔相切或相割、且与第二检测孔相割，获取上述情况下第一检测孔的检测值 、和第二检测孔检测值；计算晶圆的定位边与定位基准线所成的夹角；驱动所述晶圆旋转夹角，使所述晶圆的定位边与定位基准线平行。解决了相关技术中晶圆定位时间长的缺陷。
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公开(公告)号：CN118875968A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411378278.2
申请日：2024-09-30
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆面型原位测量方法、晶圆加工方法及系统。应用于半导体加工领域。所述晶圆面型原位测量方法包括：在晶圆处于加工环境原位且厚度不再发生变化的状态下，利用厚度测量装置测量晶圆多个圈层中的多个测量位置处的厚度；根据每个圈层中的多个测量位置处的厚度确定每个圈层的厚度；根据每个圈层的厚度确定晶圆厚度分布数据，根据晶圆厚度分布数据确定晶圆的面型特征。本发明可以提高减薄工艺的加工效率。
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公开(公告)号：CN118520129B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410978853.6
申请日：2024-07-22
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种近表面层介质参数与参考图库分辨率的匹配方法及设备，所述方法包括：在给定的近表面层介质的参数范围内选取#imgabs0#个近表面层介质参数；利用#imgabs1#个近表面层介质参数、#imgabs2#个参考图库分辨率和给定的晶圆薄膜厚度值建立#imgabs3#个参考图库；分别将#imgabs4#个参考图库与已知厚度且具有近表面层介质的晶圆的实测光谱进行匹配，从而确定#imgabs5#个与所述实测光谱匹配度最高的参考光谱，并获取对应的晶圆薄膜厚度值作为反演结果；将#imgabs6#个反演结果与所述已知厚度进行比对，根据比对结果确定所述参数范围与#imgabs7#个参考图库分辨率的匹配关系。
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公开(公告)号：CN118106825B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410532792.0
申请日：2024-04-30
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B7/22 , B24B27/033 , B24B47/20 , B24B49/02
摘要： 本发明提供一种晶圆损伤层去除方法及设备，应用于半导体领域。该方法包括：获取晶圆的损伤层厚度#imgabs0#和减薄工艺的损伤层厚度#imgabs1#；根据所述损伤层厚度#imgabs2#和所述损伤层厚度#imgabs3#计算去除量#imgabs4#；根据所述去除量#imgabs5#控制减薄装置对晶圆损伤层进行减薄；获取减薄处理后的晶圆的损伤层厚度#imgabs6#；根据所述损伤层厚度#imgabs7#确定抛光工艺的进给量；根据所述进给量控制抛光装置对晶圆损伤层进行抛光。本发明实现了精确地去除晶圆表面的损伤层，减少了材料的损耗。
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公开(公告)号：CN118023912B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410439297.5
申请日：2024-04-12
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B23P19/10
摘要： 本发明提供一种基于主轴装配工装的芯轴调整方法及设备。该方法包括：利用滑动安装在直线导轨的两个杠杆千分表对所述芯轴所在的两个平面分别进行打表测量；获取杠杆千分表示数；根据所述杠杆千分表示数确定芯轴轴线偏转方式；根据所述芯轴轴线偏转方式确定目标调节杆；根据所述杠杆千分表示数计算所述目标调节杆的旋转角度和轴向移动方向；根据所述旋转角度和旋转方向控制目标调节杆旋转，带动所述芯轴进行偏转以使所述芯轴的轴线与所述直线导轨机构的直线导轨平行。本发明实现了精确修正芯轴偏转产生的误差，提高芯轴装配的效率。
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公开(公告)号：CN117928400B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410340552.0
申请日：2024-03-25
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备，所述方法包括采集光谱共焦位移传感器对于液体膜和晶圆的光谱；根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值；当所述光谱中包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值时，根据所述第一峰值确定非折射状态下的液体膜上表面位置、根据所述第二峰值确定液体膜下表面位置；根据所述液体膜上表面位置和所述液体膜下表面位置计算非折射状态下的理想液体膜厚度；根据所述理想液体膜厚度计算折射状态下的实际液体膜厚度。
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公开(公告)号：CN117260515B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311561492.7
申请日：2023-11-22
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种抛光机的动态联动控制方法，包括：获取所述两个偏心驱动机构的幅度偏差分量、角速度偏差分量、初相位偏差分量；根据幅度偏差分量、角速度偏差分量、初相位偏差分量计算所述传动皮带不同步转动引起的偏差；根据所述晃动板的受力和尺寸信息计算所述晃动板的形变引起的偏差；根据所述晃动板与所述驱动轴的接触面的形变量计算赫兹接触引起的偏差；根据所述传动皮带不同步转动引起的偏差、所述晃动板的形变引起的偏差和所述赫兹接触引起的偏差计算抛光机的偏心距偏差；判断偏心距偏差是否超过偏差阈值；若偏心距偏差超过偏差阈值，则调整所述传动皮带、所述晃动板、所述驱动件中的任意一个或多个，以减小偏心距偏差。
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公开(公告)号：CN117457547A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311780433.9
申请日：2023-12-22
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , B24B41/00 , B24B29/02
摘要： 本申请公开了一种晶圆无蜡抛光预处理机构及上料设备，包括升降传送机构、第一翻转机构、清洗机构和第二翻转机构；升降传送机构包括升降部和传送部；第一翻转机构，用于将陶瓷盘翻转，以使陶瓷盘上设置有凹槽和无蜡垫的端面朝下设置，其中无蜡垫贴合在凹槽中；清洗机构包括多个清洗槽和吊装机构，清洗槽的底部设置有超声设备；吊装机构用于转运陶瓷盘在第一翻转机构和清洗槽之间、任意相邻的两个清洗槽之间、以及清洗槽和第二翻转机构之间；第二翻转机构，用于将陶瓷盘进行翻转，以使陶瓷盘上设置有无蜡垫的端面朝上设置。本申请解决了相关技术中晶圆有蜡抛光工序复杂，抛光工序节奏慢的问题。
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公开(公告)号：CN116713892A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202311002718.X
申请日：2023-08-10
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
摘要： 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备，该方法包括：在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在实测光谱曲线中确定多个特征点；基于多个特征点的波长值，分别在各个参考光谱曲线中确定相应的参考点；利用多个特征点与多个参考点，计算实测光谱曲线与各个参考光谱曲线的余弦相似度；根据余弦相似度确定与实测光谱数据匹配的参考光谱曲线；根据匹配的参考光谱曲线对应的厚度确定晶圆薄膜的当前厚度。本发明选用余弦相似度作为得分函数评价在多层介质情况下的相似性，提高了晶圆薄膜厚度在线检测的准确性。
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公开(公告)号：CN116175306A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310457966.7
申请日：2023-04-26
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本申请公开一种用于加工扁平工件的压盘结构、设备及其面型控制方法，其中，压盘结构包括：环形压盘，为形变盘，设置为可在驱动装置驱动下绕其自身中轴旋转，环形压盘设有抛光盘面和与抛光盘面相背离的背离面，抛光盘面用于对扁平工件进行加工；面型控制腔，设置在环形压盘的内部，位于抛光盘面和背离面之间，面型控制腔为与环形压盘同轴的环形，面型控制腔设置为通过控制装置的控制能够改变腔体体积，进而带动环形压盘的抛光盘面的面型发生改变。
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