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公开(公告)号：CN117884782B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410300229.0
申请日：2024-03-15
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/70 , H01L21/268
摘要： 本发明提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备，应用于半导体加工设备领域，所述方法包括：获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离H、晶锭折射率n、所述晶锭表面的激光入射点的间距；根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范围，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，所述倾角范围用于指示待加工晶锭表面相对于水平面的实际倾角，通过控制所述实际倾角保持在所述倾角范围内，使得待加工晶锭表面与激光改质层的实际距离在所述误差范围内。可确保改质层精度符合预期，从而有效避免聚焦改质层分层的现象。
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公开(公告)号：CN117928400A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410340552.0
申请日：2024-03-25
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备，所述方法包括采集光谱共焦位移传感器对于液体膜和晶圆的光谱；根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值；当所述光谱中包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值时，根据所述第一峰值确定非折射状态下的液体膜上表面位置、根据所述第二峰值确定液体膜下表面位置；根据所述液体膜上表面位置和所述液体膜下表面位置计算非折射状态下的理想液体膜厚度；根据所述理想液体膜厚度计算折射状态下的实际液体膜厚度。
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公开(公告)号：CN117884782A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410300229.0
申请日：2024-03-15
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/70 , H01L21/268
摘要： 本发明提供一种用于晶圆加工的激光改质焦深控制方法及设备，应用于半导体加工设备领域，所述方法包括：获取激光改质参数，包括晶锭表面与激光改质层的理论距离H、晶锭折射率n、所述晶锭表面的激光入射点的间距；根据所述激光改质参数和所述理论距离的误差范围，确定待加工晶锭表面相对于水平面的倾角范围，所述倾角范围用于指示待加工晶锭表面相对于水平面的实际倾角，通过控制所述实际倾角保持在所述倾角范围内，使得待加工晶锭表面与激光改质层的实际距离在所述误差范围内。可确保改质层精度符合预期，从而有效避免聚焦改质层分层的现象。
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公开(公告)号：CN118408477B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410853475.9
申请日：2024-06-28
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位移传感器结构参数调整方法、液体环境控制方法及设备。应用于半导体加工领域。该方法包括获取所需浸没高度#imgabs0#，所需浸没高度#imgabs1#是指在测量扁平件减薄厚度的过程中，光谱共焦位移传感器的测量端持续浸没在扁平件表面的液体环境中，扁平件表面的液体层的厚度；判断所需浸没高度#imgabs2#是否超过最大液体膜高度H，若所需浸没高度#imgabs3#高于最大液体膜高度H，则增加双平面均匀透光介质的厚度d和/或最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距l，并计算浸没高度变量#imgabs4#，根据浸没高度变量#imgabs5#更新所需浸没高度#imgabs6#，直至所需浸没高度#imgabs7#不超过最大液体膜高度H。本发明实现了浸没环境下传感器的准确性测量。
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公开(公告)号：CN118875968A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411378278.2
申请日：2024-09-30
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆面型原位测量方法、晶圆加工方法及系统。应用于半导体加工领域。所述晶圆面型原位测量方法包括：在晶圆处于加工环境原位且厚度不再发生变化的状态下，利用厚度测量装置测量晶圆多个圈层中的多个测量位置处的厚度；根据每个圈层中的多个测量位置处的厚度确定每个圈层的厚度；根据每个圈层的厚度确定晶圆厚度分布数据，根据晶圆厚度分布数据确定晶圆的面型特征。本发明可以提高减薄工艺的加工效率。
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公开(公告)号：CN117928400B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410340552.0
申请日：2024-03-25
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供一种液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备，所述方法包括采集光谱共焦位移传感器对于液体膜和晶圆的光谱；根据所述光谱中的峰值数量和峰值位置在时间维度上的变化判断所述光谱中是否包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值；当所述光谱中包括对应于液体膜上表面位置的第一峰值和对应于液体膜下表面位置的第二峰值时，根据所述第一峰值确定非折射状态下的液体膜上表面位置、根据所述第二峰值确定液体膜下表面位置；根据所述液体膜上表面位置和所述液体膜下表面位置计算非折射状态下的理想液体膜厚度；根据所述理想液体膜厚度计算折射状态下的实际液体膜厚度。
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公开(公告)号：CN118408477A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410853475.9
申请日：2024-06-28
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位移传感器结构参数调整方法、液体环境控制方法及设备。应用于半导体加工领域。该方法包括获取所需浸没高度#imgabs0#，所需浸没高度#imgabs1#是指在测量扁平件减薄厚度的过程中，光谱共焦位移传感器的测量端持续浸没在扁平件表面的液体环境中，扁平件表面的液体层的厚度；判断所需浸没高度#imgabs2#是否超过最大液体膜高度H，若所需浸没高度#imgabs3#高于最大液体膜高度H，则增加双平面均匀透光介质的厚度d和/或最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距l，并计算浸没高度变量#imgabs4#，根据浸没高度变量#imgabs5#更新所需浸没高度#imgabs6#，直至所需浸没高度#imgabs7#不超过最大液体膜高度H。本发明实现了浸没环境下传感器的准确性测量。
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公开(公告)号：CN118310423A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410593275.4
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位移传感器的聚焦位置补偿方法及扁平件位置测量系统，涉及半导体加工领域，所述方法包括：获取无液体环境下光谱共焦位移传感器采集的反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和所述光谱共焦位移传感器的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算待修正的聚焦位置#imgabs1#；计算双平面均匀透光介质引起的聚焦位置偏差#imgabs2#；利用聚焦位置偏差#imgabs3#对聚焦位置#imgabs4#进行补偿，得到修正后的实际聚焦位置#imgabs5#。通过对位移传感器探头采集的数据以及输出结果进行补偿，最终实现新结构测得的扁平件表面位置，提高了测量的准确性。
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公开(公告)号：CN118168464B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410593270.1
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明提供一种液体环境下的扁平件厚度、减薄厚度测量方法及设备，所述减薄厚度测量方法包括：获取处于液体环境下的光谱共焦位移传感器在当前时刻采集的扁平件上表面反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和预先构建的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs1#，根据当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs2#和前一时刻的扁平件上表面位置#imgabs3#，得到当前时刻的减薄厚度#imgabs4#；利用液体折射率n对当前时刻的减薄厚度#imgabs5#进行修正，得到修正后的减薄厚度#imgabs6#。
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公开(公告)号：CN118168464A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410593270.1
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明提供一种液体环境下的扁平件厚度、减薄厚度测量方法及设备，所述减薄厚度测量方法包括：获取处于液体环境下的光谱共焦位移传感器在当前时刻采集的扁平件上表面反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和预先构建的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs1#，根据当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs2#和前一时刻的扁平件上表面位置#imgabs3#，得到当前时刻的减薄厚度#imgabs4#；利用液体折射率n对当前时刻的减薄厚度#imgabs5#进行修正，得到修正后的减薄厚度#imgabs6#。
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