- 专利标题: 近表面层介质参数与参考图库分辨率的匹配方法及设备
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申请号: CN202410978853.6申请日: 2024-07-22
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公开(公告)号: CN118520129B公开(公告)日: 2024-10-11
- 发明人: 孟炜涛 , 周惠言 , 蒋继乐
- 申请人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 申请人地址: 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创)
- 专利权人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 当前专利权人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创)
- 主分类号: G06F16/53
- IPC分类号: G06F16/53 ; G06V10/75
摘要:
本发明提供一种近表面层介质参数与参考图库分辨率的匹配方法及设备,所述方法包括:在给定的近表面层介质的参数范围内选取#imgabs0#个近表面层介质参数;利用#imgabs1#个近表面层介质参数、#imgabs2#个参考图库分辨率和给定的晶圆薄膜厚度值建立#imgabs3#个参考图库;分别将#imgabs4#个参考图库与已知厚度且具有近表面层介质的晶圆的实测光谱进行匹配,从而确定#imgabs5#个与所述实测光谱匹配度最高的参考光谱,并获取对应的晶圆薄膜厚度值作为反演结果;将#imgabs6#个反演结果与所述已知厚度进行比对,根据比对结果确定所述参数范围与#imgabs7#个参考图库分辨率的匹配关系。
公开/授权文献
- CN118520129A 近表面层介质参数与参考图库分辨率的匹配方法及设备 公开/授权日:2024-08-20