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公开(公告)号：CN118832525A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411324816.X
申请日：2024-09-23
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
摘要： 本申请提供一种游星轮外圈升降闪停装置，涉及半导体加工设备技术领域，包括升降机构以及闪停机构；其中，所述升降机构包括：驱动装置；丝轴，所述驱动装置带动所述丝轴转动；丝母，螺纹连接于所述丝轴的顶部；所述闪停机构包括：活动卡接件，与所述丝轴底部之间设置有卡接结构；固定卡接件，位于所述活动卡接件的上方，能够与所述活动卡接件形成卡接使二者相对固定；传动卡接件，位于所述活动卡接件的下方，能够与所述活动卡接件形成卡接使二者相对固定，所述驱动装置带动所述传动卡接件转动；位移装置，用于带动所述活动卡接件上升或下降。解决了相关技术中升降系统成本高、结构复杂、占用空间大的缺陷。
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公开(公告)号：CN118254098B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410682419.3
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , G01B11/06 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述方法包括：获取具有第一类层和第二类层的光谱计算模型，其中所述第二类层位于所述第一类层和晶圆薄膜之间；确定所述第一类层、所述第二类层、所述晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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公开(公告)号：CN118254096B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410682207.5
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , G01B11/06 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述参考光谱生成方法包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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公开(公告)号：CN118322101B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410770660.1
申请日：2024-06-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B49/04 , B24B49/12 , B24B37/013 , B24B37/34
摘要： 本申请提供一种晶圆终点在线检测抛光设备及晶圆在线检测方法，其中抛光设备包括：抛光盘，第一通孔；第一透光部；抛光垫，第二通孔，第二通孔包括第一孔段和第二孔段，第二孔段在抛光垫的径向方向上的宽度大于第一通孔的宽度；第二透光部。第二孔段在抛光垫的径向方向上的宽度大于第一通孔的宽度，宽出部分用于在抛光盘达到预设转速后容纳从第一透光部和/或第二透光部渗透进来的抛光渗液，在对晶圆进行化学机械抛光时，即使第一透光部和/或第二透光部发生渗液时，在抛光盘达到预设转速后，抛光渗液在离心力的作用下被甩进至第二孔段的宽出部分，可以避免抛光渗液对检测光路产生影响，保证检测光路对晶圆的检测准确性。
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公开(公告)号：CN118408477A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410853475.9
申请日：2024-06-28
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位移传感器结构参数调整方法、液体环境控制方法及设备。应用于半导体加工领域。该方法包括获取所需浸没高度#imgabs0#，所需浸没高度#imgabs1#是指在测量扁平件减薄厚度的过程中，光谱共焦位移传感器的测量端持续浸没在扁平件表面的液体环境中，扁平件表面的液体层的厚度；判断所需浸没高度#imgabs2#是否超过最大液体膜高度H，若所需浸没高度#imgabs3#高于最大液体膜高度H，则增加双平面均匀透光介质的厚度d和/或最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距l，并计算浸没高度变量#imgabs4#，根据浸没高度变量#imgabs5#更新所需浸没高度#imgabs6#，直至所需浸没高度#imgabs7#不超过最大液体膜高度H。本发明实现了浸没环境下传感器的准确性测量。
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公开(公告)号：CN118310423A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410593275.4
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/00
摘要： 本发明提供一种位移传感器的聚焦位置补偿方法及扁平件位置测量系统，涉及半导体加工领域，所述方法包括：获取无液体环境下光谱共焦位移传感器采集的反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和所述光谱共焦位移传感器的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算待修正的聚焦位置#imgabs1#；计算双平面均匀透光介质引起的聚焦位置偏差#imgabs2#；利用聚焦位置偏差#imgabs3#对聚焦位置#imgabs4#进行补偿，得到修正后的实际聚焦位置#imgabs5#。通过对位移传感器探头采集的数据以及输出结果进行补偿，最终实现新结构测得的扁平件表面位置，提高了测量的准确性。
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公开(公告)号：CN118168464B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410593270.1
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明提供一种液体环境下的扁平件厚度、减薄厚度测量方法及设备，所述减薄厚度测量方法包括：获取处于液体环境下的光谱共焦位移传感器在当前时刻采集的扁平件上表面反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和预先构建的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs1#，根据当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs2#和前一时刻的扁平件上表面位置#imgabs3#，得到当前时刻的减薄厚度#imgabs4#；利用液体折射率n对当前时刻的减薄厚度#imgabs5#进行修正，得到修正后的减薄厚度#imgabs6#。
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公开(公告)号：CN118254097A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410682381.X
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66 , G01B11/06
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法及化学机械抛光设备，所述方法包括根据晶圆薄膜的反射光谱和等效光源光谱生成实测光谱，所述等效光源光谱是利用经过抛光液以及抛光液与准直光源探头之间的介质层的反射光所生成的波长与光强度对应关系数据；将所述实测光谱与参考光谱库进行匹配；获取与所述实测光谱匹配的参考光谱所对应的晶圆薄膜厚度作为检测结果。
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公开(公告)号：CN118254096A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410682207.5
申请日：2024-05-29
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： B24B37/013 , G01B11/06 , B24B37/005 , B24B49/12 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述参考光谱生成方法包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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公开(公告)号：CN118168464A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410593270.1
申请日：2024-05-14
申请人： 北京特思迪半导体设备有限公司
IPC分类号： G01B11/06
摘要： 本发明提供一种液体环境下的扁平件厚度、减薄厚度测量方法及设备，所述减薄厚度测量方法包括：获取处于液体环境下的光谱共焦位移传感器在当前时刻采集的扁平件上表面反射光，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体；根据所述反射光的光谱信号的光谱峰值中心对应参数#imgabs0#和预先构建的光谱峰值中心对应参数‑位移模型计算当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs1#，根据当前时刻的扁平件上表面位置#imgabs2#和前一时刻的扁平件上表面位置#imgabs3#，得到当前时刻的减薄厚度#imgabs4#；利用液体折射率n对当前时刻的减薄厚度#imgabs5#进行修正，得到修正后的减薄厚度#imgabs6#。
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