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公开(公告)号：CN117590206B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410078761.2
申请日：2024-01-19
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种可调节芯片测试板和芯片测试方法，所述可调节芯片测试板包括：母板，包括至少一个测试位，所述测试位连接到多条引线，所述引线用于连接待测芯片的相应管脚；跳线区，设置于所述母板；所述跳线区包括至少一个跳线电路，所述跳线电路包括拉偏电阻和拉偏电阻开关；所述引线通过所述跳线电路连接到预设电平。本公开的技术方案通过在芯片测试板上设置跳线区，解决了无法根据测试时芯片的表现对芯片测试板的拉偏状态进行调整的技术问题，达到根据芯片测试需求，灵活设置待测芯片各个管脚的拉偏状态，无需更换新的芯片测试板的技术效果。
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公开(公告)号：CN115911100B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310192045.2
申请日：2023-03-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115128427B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211036892.1
申请日：2022-08-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115128427A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211036892.1
申请日：2022-08-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115308558B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211039166.5
申请日：2022-08-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G06F18/214 , G06F18/241 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045
摘要： 本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114818393B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN115939197A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310061014.3
申请日：2023-01-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113607511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片待分析样品，可以增大功率芯片截面的染色面积，增强芯片截面的染色效果，有利于功率芯片结构的准确判断。
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公开(公告)号：CN116828347B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
摘要： 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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公开(公告)号：CN116828347A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
摘要： 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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