-
公开(公告)号：CN113607511B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片
-
公开(公告)号：CN114203592A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111473541.2
申请日：2021-11-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。
-
公开(公告)号：CN114065674A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
-
公开(公告)号：CN113945773A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110283041.6
申请日：2021-03-16
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
-
公开(公告)号：CN113607511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110700211.6
申请日：2021-06-23
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，公开了制备功率芯片待分析样品的方法和功率芯片待分析样品。该方法包括如下步骤：(1)提供用于承载功率芯片的载体，所述载体存在至少一个倾斜角度α为30‑60°的载体平面；(2)将功率芯片固定于所述载体平面上，且所述功率芯片的衬底朝向所述载体平面，得到功率芯片样品；(3)沿水平方向将功率芯片样品进行研磨，得到功率芯片截面；(4)将功率芯片截面进行染色，得到功率芯片待分析样品。采用本发明的方法制备功率芯片待分析样品，可以增大功率芯片截面的染色面积，增强芯片截面的染色效果，有利于功率芯片结构的准确判断。
-
公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06F30/33
摘要： 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
-
公开(公告)号：CN215493332U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121226222.7
申请日：2021-06-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本实用新型提供一种超声波无损检测设备，属于元器件缺陷检测技术领域。所述无损检测设备包括超声波头、移动装置、夹持装置、底板和样品池；所述超声波头位于所述移动装置上，用于产生并且检测超声波信号；所述移动装置用于带动所述超声波头移动；所述夹持装置用于夹持待测样品；所述底板用于支撑所述待测样品；所述样品池用于容纳所述待测样品、底板和所述夹持装置；所述夹持装置包括固定部件和活动部件，所述固定部件固定于所述底板上，所述活动部件与所述固定部件相连接，以形成中空结构。本实用新型提供的无损检测设备，待测样品扫描图像清晰度高，可以自动显示待测样品缺陷的位置及大小。
-
公开(公告)号：CN215493850U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202120545645.9
申请日：2021-03-16
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本实用新型实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
-
公开(公告)号：CN214953920U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202120529480.6
申请日：2021-03-12
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供一种用于芯片测试的夹具和芯片测试装置，属于芯片测试分析领域。所述夹具包括：第一板和第二板；所述第一板的表面具有用于与芯片的管脚相接触的触点；所述第二板上可伸缩地连接有多个按压件。本实用新型提供的用于芯片测试的夹具，适用于不同管脚数量的BGA封装芯片与测试机的连接，可以使被测芯片在测试过程中稳定接触触点，芯片的安装与拆卸方便。
-
公开(公告)号：CN216902809U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202122967390.8
申请日：2021-11-29
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.152 秒)
