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公开(公告)号：CN114865448A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210552310.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。
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公开(公告)号：CN108092129A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711227121.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器封装固定方式的夹具，其特征在于采用接触固定方式，避免细导线条焊接时移动，以致损坏激光器，该夹具由不锈钢的固定在夹热沉底座上的夹子组成。使用时把细导线条放于热沉上陶瓷片一侧用两侧的夹子夹住导线条的另一端即可。同时因为夹具是固定在夹热沉底座上的，所以非常牢固，不会在操作时向其它方向移动，并且导线条装卸过程非常容易。本发明提供的接触式固定式的夹具结构简单、安全可靠、加工成本低、使用寿命长，并且避免了焊接导线导线时因导线的晃动而致使电烙铁烫伤激光器。
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公开(公告)号：CN107681462A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710818871.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，翻转板放置在热沉上。热沉的侧部边缘与放在刻蚀槽中的管芯侧部边缘对准。本发明结构更加简单、设计制作成本更加低廉低。整体器件简洁，无其他冗余的器件，整个装置的体积要远远小于常规的摆片夹具，这样整个器件就可以放置在氮气罩中操作，减少了腔面氧化现象，同时设备所用器件不含金属操作更加洁净。
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公开(公告)号：CN104300361A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410505751.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半导体激光器腔面镀膜陪片，属于半导体激光器工艺技术领域。当前国内外所使用的镀膜陪片都是按照正式片尺寸制作的，本发明所提出的半导体激光器腔面镀膜陪片为单面工字型，另一面仍保持与正式片一样的尺寸。本发明设计精巧，易于加工，实用简单，操作方便，降低了镀膜后因膜层粘连所带来的分离难度，并且减小了半导体激光器腔面薄膜的损伤度，提高了半导体激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102545052B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545714A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN102570294A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210009274.8
申请日：2012-01-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
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公开(公告)号：CN104104009B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410323169.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au‑Sn焊料层。该Au‑Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au‑Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
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公开(公告)号：CN104991432A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510442714.2
申请日：2015-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种激光显示亮度的调节方法；检测模块检测外部环境参数变化；控制中心的面积控制部分接收来自检测模块的信息，通过计算得出投影面积，传送给光功率控制部分从而计算出当前的光功率大小。控制中心的光功率控制部分根据接收到的面积信息和外部环境光照强度，结合算法流程图对计算出光功率进行判断，使其同时满足舒适的亮度比和安全的亮度值。激光光源功率控制模块根据控制中心的指示控制投影激光光源的光功率，从而输出合理的亮度。本投影方法可以通过检测模块检测环境的亮度，并自动调节激光亮度输出，使人眼得到清晰的亮度感觉。可在根据屏幕大小变化快速调节亮度，同时自动将光功率控制在安全范围内，快捷方便。
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公开(公告)号：CN104966705A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510409480.1
申请日：2015-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件散热模块的焊料分布结构，该结构包括热沉、第一焊料层、第二焊料层、芯片；第一焊料层设置在热沉上方，第二焊料层设置在热沉的侧面并与第一焊料层连接，芯片设置在第一焊料层上方，为上下电极结构。通过在热沉一侧面也生长了一层第二焊料层，第二焊料层的作用主要是在烧结过程中引导隆起的第一焊料层向热沉一侧流动，从而有效的阻止了第一焊料层向管芯方向攀爬，这样便可以有效的防止由于第一焊料层向管芯方向攀爬造成管芯短路或者挡光的问题，提高了器件的成品率、可靠性和稳定性。
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