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公开(公告)号：CN109485150B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811373151.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F3/30 , C02F101/16
Abstract: 一种管式膜结合后置缺氧内源反硝化深度脱氮除磷的装置，属于污水生物处理技术领域。生活污水首先由原水箱进入AOA反应器的厌氧段，厌氧段中的聚糖菌和聚磷菌充分吸收原水中的外碳源，转化合成为内碳源(PHA)储存于胞内，同时聚磷菌进行厌氧释磷；随后混合液推流进入好氧段，进行硝化反应，同时活性污泥中的聚磷菌进行好氧吸磷，完成磷的吸收；然后混合液推流进入缺氧段，硝氮被聚磷菌、聚糖菌利用实现内源反硝化；最后混合液推流进入管式膜系统进行泥水分离，滤出水作为最终出水排放，滤后污泥回流到AOA反应器厌氧区和缺氧区。本发明将缺氧段后置，充分利用内碳源进行反硝化脱氮，管式膜系统解决了回流污泥量大、泥水分离困难等问题。
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公开(公告)号：CN107010736B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710224882.3
申请日：2017-04-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 短程反硝化‑厌氧氨氧化脱氮耦合生物除磷的装置与方法属于污水处理领域。该装置由厌氧区、缺氧区Ⅰ、好氧区Ⅰ、缺氧区Ⅱ、缺氧区Ⅲ、好氧区Ⅱ、沉淀池组成。进水流量由PLC系统控制，60％的原水进入厌氧区完成厌氧释磷；随后混合液在缺氧区Ⅰ完成反硝化，在好氧区Ⅰ完成吸磷和硝化反应；混合液和40％原水同时进入缺氧区Ⅱ，完成短程反硝化反应；随后混合液进入IFAS方式运行的缺氧区Ⅲ，完成厌氧氨氧化反应，缺氧区Ⅲ的混合液在好氧区进一步完成吸磷、硝化反应。最后混合液进入沉淀池进行泥水分离，上清液直接排出系统外，浓缩污泥经回流泵回流至缺氧区Ⅰ，再经混合液回流泵从缺氧区Ⅰ回流至厌氧区。系统的剩余污泥定期排出系统外，实现同步脱氮除磷。
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公开(公告)号：CN102545052A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN110002678B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910316299.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F9/14 , C02F101/30
Abstract: PNA系统后置短程反硝化实现城市污水深度脱氮的装置与方法，属于污水生物处理领域。在序批式反应器中以好氧‑缺氧运行。将低C/N比污水进入PNA‑PNAD系统。曝气阶段，AOB和Anammox共同作用利用原水NH4+‑N进行自养脱氮。通过在线探头监测氨氮和硝酸盐浓度，两值接近时，停止曝气，进入缺氧搅拌，添加有机碳源，使COD/NO3‑‑N＝3‑5。缺氧搅拌阶段，反硝化细菌和Anammox协同作用进行脱氮，将剩余NH4+‑N和NO3‑‑N进一步降解，最终实现PNA‑PNDA城市污水深度脱氮。本发明解决PNA应用于城市污水，出水氨氮过低导致亚硝酸盐氧化细菌(NOB)竞争性生长导致系统破坏；解决PNA处理城市污水出水硝酸盐高和氨氮不能过低问题。
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公开(公告)号：CN104880314B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510344538.9
申请日：2015-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/02
Abstract: 一种RV减速器综合性能测试仪中的新型结构，RV减速器通过连接盘与固定套连接，固定套安装在RV减速器支架上，固定套的端部与光栅外轴套连接；轴承安装在光栅内轴套和光栅外轴套之间，轴承的内、外圈分别采用内压环、外压环定位；光栅内轴套、光栅外轴套通过螺钉与外压环连接。圆光栅安装在光栅内轴套上，读数头安装在光栅外轴套上；测量主轴采用螺钉连接的方式分别与RV减速器的输出盘和簧片连接；簧片通过簧片压环与光栅内轴套连接；光栅防护罩安装在固定套的端面上。本发明采用簧片连接测量主轴与圆光栅轴系，简化了测量不同RV减速器的安装步骤；本装置可用于其他需要保证圆光栅轴系与测量轴系之间同轴转动的设计，应用范围广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107010736A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710224882.3
申请日：2017-04-07
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C02F3/308 , C02F3/305 , C02F3/307 , C02F2103/001 , C02F2209/44
Abstract: 短程反硝化‑厌氧氨氧化脱氮耦合生物除磷的装置与方法属于污水处理领域。该装置由厌氧区、缺氧区Ⅰ、好氧区Ⅰ、缺氧区Ⅱ、缺氧区Ⅲ、好氧区Ⅱ、沉淀池组成。进水流量由PLC系统控制，60％的原水进入厌氧区完成厌氧释磷；随后混合液在缺氧区Ⅰ完成反硝化，在好氧区Ⅰ完成吸磷和硝化反应；混合液和40％原水同时进入缺氧区Ⅱ，完成短程反硝化反应；随后混合液进入IFAS方式运行的缺氧区Ⅲ，完成厌氧氨氧化反应，缺氧区Ⅲ的混合液在好氧区进一步完成吸磷、硝化反应。最后混合液进入沉淀池进行泥水分离，上清液直接排出系统外，浓缩污泥经回流泵回流至缺氧区Ⅰ，再经混合液回流泵从缺氧区Ⅰ回流至厌氧区。系统的剩余污泥定期排出系统外，实现同步脱氮除磷。
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公开(公告)号：CN103401140B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310303707.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
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公开(公告)号：CN109485150A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811373151.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F3/30 , C02F101/16
Abstract: 一种管式膜结合后置缺氧内源反硝化深度脱氮除磷的装置，属于污水生物处理技术领域。生活污水首先由原水箱进入AOA反应器的厌氧段，厌氧段中的聚糖菌和聚磷菌充分吸收原水中的外碳源，转化合成为内碳源(PHA)储存于胞内，同时聚磷菌进行厌氧释磷；随后混合液推流进入好氧段，进行硝化反应，同时活性污泥中的聚磷菌进行好氧吸磷，完成磷的吸收；然后混合液推流进入缺氧段，硝氮被聚磷菌、聚糖菌利用实现内源反硝化；最后混合液推流进入管式膜系统进行泥水分离，滤出水作为最终出水排放，滤后污泥回流到AOA反应器厌氧区和缺氧区。本发明将缺氧段后置，充分利用内碳源进行反硝化脱氮，管式膜系统解决了回流污泥量大、泥水分离困难等问题。
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公开(公告)号：CN104568428A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410746500.X
申请日：2014-12-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/02
Abstract: RV减速器综合性能测量仪，属于精密测试计量技术领域。它包括两大部分，机械部分主要是由RV减速器精密安装支架、输入轴系、输出轴系、力矩电机、联轴器、扭矩传感器、磁粉制动器、制动器安装支架组成；测控部分主要由力矩电机、控制器、驱动器、编码器、细分器、DSI卡、数据采集卡、工控机。本发明填补了国内外RV减速器综合性能试验台的空白，性能可靠、测量重复性好、所测参数准确。
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公开(公告)号：CN103401140A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310303707.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有新型腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成第一脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通；腐蚀去除上限制层未贯通部分的四角，腐蚀后上限制层的四角不贯通；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及第一脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和第一脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，通过在非注入窗口区刻蚀脊型结构，形成侧向弱折射率波导结构，有效地抑制了光束在水平方向上的发散。
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