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公开(公告)号：CN107681462B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710818871.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，翻转板放置在热沉上。热沉的侧部边缘与放在刻蚀槽中的管芯侧部边缘对准。本发明结构更加简单、设计制作成本更加低廉低。整体器件简洁，无其他冗余的器件，整个装置的体积要远远小于常规的摆片夹具，这样整个器件就可以放置在氮气罩中操作，减少了腔面氧化现象，同时设备所用器件不含金属操作更加洁净。
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公开(公告)号：CN108110615A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711227103.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种小孔径的垂直腔半导体激光器结构，包括衬底上的N面电极、N型DBR、有源区、P型DBR、SiO2层、ZnO透明电极和P面电极，实现了小出光孔径。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下能够达到亚微米的出光孔径，以实现亚波长出光的目的，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN108092129A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711227121.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器封装固定方式的夹具，其特征在于采用接触固定方式，避免细导线条焊接时移动，以致损坏激光器，该夹具由不锈钢的固定在夹热沉底座上的夹子组成。使用时把细导线条放于热沉上陶瓷片一侧用两侧的夹子夹住导线条的另一端即可。同时因为夹具是固定在夹热沉底座上的，所以非常牢固，不会在操作时向其它方向移动，并且导线条装卸过程非常容易。本发明提供的接触式固定式的夹具结构简单、安全可靠、加工成本低、使用寿命长，并且避免了焊接导线导线时因导线的晃动而致使电烙铁烫伤激光器。
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公开(公告)号：CN107681462A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710818871.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，翻转板放置在热沉上。热沉的侧部边缘与放在刻蚀槽中的管芯侧部边缘对准。本发明结构更加简单、设计制作成本更加低廉低。整体器件简洁，无其他冗余的器件，整个装置的体积要远远小于常规的摆片夹具，这样整个器件就可以放置在氮气罩中操作，减少了腔面氧化现象，同时设备所用器件不含金属操作更加洁净。
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公开(公告)号：CN106953233A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710350811.8
申请日：2017-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/183
Abstract: 一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO2和金属电极，实现了小出光孔径的控制。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径以及同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下进行出光孔径的控制，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108512032A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810340718.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/06
Abstract: 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。
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公开(公告)号：CN105880859A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610244921.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: B23K35/0222 , B23K35/40
Abstract: 一种可调AuSn合金组分的热沉，属于半导体器件制造领域。其结构为自下而上依为热沉层(1)、粘合层(2)、Au80Sn20合金层(3)、锡层或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层(4)；通过在Au80Sn20合金层上蒸镀一层一定厚度的锡或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层的方式，调节金锡合金的组分。
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公开(公告)号：CN105742956A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610244288.6
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/065
CPC classification number: H01S5/0657
Abstract: 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域，这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该发明在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN205828878U
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201620331025.4
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/065
Abstract: 一种具有稳定波长的锁模半导体激光器，涉及半导体光电子学技术领域。这种具有稳定波长的锁模半导体激光器结构，包括在半导体激光器芯片基础上的饱和吸收区和其一侧的全反膜，增益区和其另一侧出光处的具有稳定波长输出的光栅，进行波长选择。解决了锁模半导体激光器在光输出时波长不稳定，容易发生漂移的问题。该实用新型在多次进行波长选择的过程中，实现输出波长的稳定，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN206065704U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201620331031.X
申请日：2016-04-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种可调AuSn合金组分的热沉，属于半导体器件制造领域。其结构为自下而上依为热沉层(1)、粘合层(2)、Au80Sn20合金层(3)、锡层或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层(4)；通过在Au80Sn20合金层上蒸镀一层一定厚度的锡或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层的方式，调节金锡合金的组分。
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