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公开(公告)号：CN104300361A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410505751.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半导体激光器腔面镀膜陪片，属于半导体激光器工艺技术领域。当前国内外所使用的镀膜陪片都是按照正式片尺寸制作的，本发明所提出的半导体激光器腔面镀膜陪片为单面工字型，另一面仍保持与正式片一样的尺寸。本发明设计精巧，易于加工，实用简单，操作方便，降低了镀膜后因膜层粘连所带来的分离难度，并且减小了半导体激光器腔面薄膜的损伤度，提高了半导体激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN103545714A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104104009A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410323169.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au-Sn焊料层。该Au-Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au-Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
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公开(公告)号：CN104104009B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410323169.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au‑Sn焊料层。该Au‑Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au‑Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
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公开(公告)号：CN103545714B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN103647216A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310571961.3
申请日：2013-11-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层；腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通，沿着谐振腔方向，高反腔面到脊型台边缘的长度L1大于出光腔面到脊型台边缘的长度L2；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成非对称腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，有效地改善了光束在水平方向上的发散。
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公开(公告)号：CN103560395A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530203.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上限制层Ⅱ、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构。其中沿半导体激光器纵轴两侧，用湿法氧化法或质子轰击的方法，形成一层电流阻挡层，有效地抑制了有源区Ⅱ的电流扩展效应。本发明双波长输出的光混频产生的太赫兹波较方便、易实现且经过光腔耦合输出的光是同轴的，实现了同步控制；同轴双波长半导体激光器源使得太赫兹源结构简单、成本降低、连续输出功率大且能在室温下工作。
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