公开(公告)号：CN104300361A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410505751.9

申请日：2014-09-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  何新 ,  凌小涵 ,  刘梦涵

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/028

Abstract: 一种半导体激光器腔面镀膜陪片，属于半导体激光器工艺技术领域。当前国内外所使用的镀膜陪片都是按照正式片尺寸制作的，本发明所提出的半导体激光器腔面镀膜陪片为单面工字型，另一面仍保持与正式片一样的尺寸。本发明设计精巧，易于加工，实用简单，操作方便，降低了镀膜后因膜层粘连所带来的分离难度，并且减小了半导体激光器腔面薄膜的损伤度，提高了半导体激光器的可靠性。

公开(公告)号：CN104104009A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410323169.0

申请日：2014-07-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  刘梦涵 ,  凌小涵 ,  何新

IPC: H01S5/02

Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au-Sn焊料层。该Au-Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au-Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。

公开(公告)号：CN104104009B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410323169.0

申请日：2014-07-08

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  刘梦涵 ,  凌小涵 ,  何新

IPC: H01S5/02

Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au‑Sn焊料层。该Au‑Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au‑Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。