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公开(公告)号：CN110211881B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910417221.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/16
Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。
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公开(公告)号：CN108615809B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN105301909B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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公开(公告)号：CN105823782B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610137382.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种二维材料中晶界和原子缺陷的表征方法。该方法利用一对放电电极，使通入电极之间的水蒸气电离。水蒸气电离产生的氢、氧等等离子体易与缺陷易在缺陷处吸附结合，借助高倍光学显微镜，可以通过观察水蒸气凝结规律，从而表征宏观和围观的缺陷。本发明非常迅速实现了对微观缺陷的无损表征。另外，本发明的微观缺陷表征方法只会在二维材料表面残留水分子，通过烘干即可使该二维材料恢复原始状态，因此不会在其表面引入杂质。
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公开(公告)号：CN108615809A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106877525A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611078757.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热电材料的无线充电方法及设备。该技术利用吸波材料对电磁波进行吸收，使吸收的电磁波能量转换为热能；选择合适的热电材料并将吸波材料紧贴在热电材料的一端，则热电材料中与吸波材料紧贴的一端的温度升高，并在该热电材料中形成温度梯度，该温度梯度将在热电材料的两端形成热电电动势，从而可以对电池充电。相对于传统的无线充电技术，本发明的无线充电技术可以兼有充电距离远、电磁波适用频带宽、待充电设备体积小以及可同时为多设备充电等优势。
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公开(公告)号：CN103903961B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410145622.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E‑7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
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公开(公告)号：CN105629682A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610111722.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用，该方法利用较高能量激光束照射或扫描薄膜的方法，在激光束下照射时，激光束与碳基材料薄膜样品表面的光刻胶之间会发生相互作用，使光刻胶分子中C-H、C-C键断裂，形成小分子并具有较高能量，使光刻胶分子发生溅射和横向移动，脱离原来位置。同时，激光轰击导致样品表面产生热量，使光刻胶分子发生团聚和蒸发。本发明能够去除碳基材料薄膜样品表面光刻胶等聚合物残留，并确保不破坏材料晶格结构，获得薄膜样品本征特性，使器件电学性能大大提高。
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公开(公告)号：CN102709332B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210153652.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H03K19/08
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
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公开(公告)号：CN105301909A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510607590.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外，通过控制光刻胶的厚度、显影液与光刻胶之间的温差，可以获得宽度和长度可控的二维纳米材料的微米带或纳米带。
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