公开(公告)号：CN103903961A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410145622.3

申请日：2014-04-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 叶青 ,  傅云义 ,  郭剑 ,  贾越辉 ,  魏子钧 ,  张亮 ,  任黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。

公开(公告)号：CN103943925B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201410116434.8

申请日：2014-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 张亮 ,  魏子钧 ,  贾越辉 ,  叶青 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01P3/06 ,  H01P11/00 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明公开了一种全碳同轴线及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明利用石墨烯为单原子层厚，将石墨烯卷作圆柱体，构成半径很小（可以小到nm级别）的同轴线的内导体，同轴线内导体传导电流，同时，用单层或多层石墨烯来做同轴线的外导体构成电磁波在空间中的边界，利用氧化石墨来做内导体和外导体之间的介质材料，约束、引导电磁波能量的定向传输。本发明制得的同轴线的尺寸非常小，可以适用于射频、微波集成电路。

公开(公告)号：CN103943925A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410116434.8

申请日：2014-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 张亮 ,  魏子钧 ,  贾跃辉 ,  叶青 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01P3/06 ,  H01P11/00 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明公开了一种全碳同轴线及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明利用石墨烯为单原子层厚，将石墨烯卷作圆柱体，构成半径很小（可以小到nm级别）的同轴线的内导体，同轴线内导体传导电流，同时，用单层或多层石墨烯来做同轴线的外导体构成电磁波在空间中的边界，利用氧化石墨来做内导体和外导体之间的介质材料，约束、引导电磁波能量的定向传输。本发明制得的同轴线的尺寸非常小，可以适用于射频、微波集成电路。

公开(公告)号：CN102154218B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110035394.0

申请日：2011-02-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 邱晓彦 ,  富宁 ,  初明 ,  郑杰 ,  叶青 ,  黄晶 ,  朱平 ,  姜冬阳

IPC: C12N5/20 ,  C07K16/42 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  C12R1/91

Abstract: 本发明公开了一种具有保藏号为CGMCC No.4572的杂交瘤细胞株4e9，及由该杂交瘤细胞株4e9所产生的单克隆抗体4e9。该单克隆抗体4e9特异性识别V κ4-1/J3组合序列的Ig轻链。该单克隆抗体4e9特异性高，抗肿瘤效果好。

公开(公告)号：CN103903961B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410145622.3

申请日：2014-04-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 叶青 ,  傅云义 ,  郭剑 ,  贾越辉 ,  魏子钧 ,  张亮 ,  任黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E‑7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。

公开(公告)号：CN102154218A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110035394.0

申请日：2011-02-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 邱晓彦 ,  富宁 ,  初明 ,  郑杰 ,  叶青 ,  黄晶 ,  朱平 ,  姜冬阳

IPC: C12N5/20 ,  C07K16/42 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00 ,  C12R1/91

Abstract: 本发明公开了一种具有保藏号为CGMCC No.4572的杂交瘤细胞株4e9，及由该杂交瘤细胞株4e9所产生的单克隆抗体4e9。该单克隆抗体4e9特异性识别Vκ4-1/J3组合序列的Ig轻链。该单克隆抗体4e9特异性高，抗肿瘤效果好。