公开(公告)号：CN101607744A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910087898.X

申请日：2009-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张雄健 ,  董昭 ,  张酣

IPC: C01G53/04 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明公开了一种制备氧化镍薄膜的方法。该方法是采用直接氧化法制备氧化镍薄膜，包括以下步骤：在包括a)气体和b)气体的混合气氛中，将镍或镍钨合金置于反应器中进行热处理，得到所述氧化镍薄膜；所述a)气体为氩气、氮气或腐蚀性气体；所述腐蚀性气体由SO2、CO2和N2组成；所述b)气体为氧气；所述a)气体与所述b)气体的体积比为99.3－99.7∶0.3－0.7；所述热处理的过程如下：以4℃/min～6℃/min的速率，将反应器的温度从室温升至300℃，接着以2～3℃/min的速率，将反应器的温度升至480～550℃，保持12～18小时。采用本发明方法可以获得表面形貌良好的氧化镍薄膜，该薄膜表面颗粒度均匀，厚度可达到50～80nm，而且本发明方法热处理温度在550℃以下，比较节约热能，为将来批量生长较长的二代超导带材打下坚实的基础。

公开(公告)号：CN105629682A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610111722.3

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  龚欣 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  张酣 ,  傅云义

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用，该方法利用较高能量激光束照射或扫描薄膜的方法，在激光束下照射时，激光束与碳基材料薄膜样品表面的光刻胶之间会发生相互作用，使光刻胶分子中C-H、C-C键断裂，形成小分子并具有较高能量，使光刻胶分子发生溅射和横向移动，脱离原来位置。同时，激光轰击导致样品表面产生热量，使光刻胶分子发生团聚和蒸发。本发明能够去除碳基材料薄膜样品表面光刻胶等聚合物残留，并确保不破坏材料晶格结构，获得薄膜样品本征特性，使器件电学性能大大提高。

公开(公告)号：CN102153153A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110046093.8

申请日：2011-02-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 董昭 ,  魏芹芹 ,  许应瑛 ,  邓斯天 ,  张雄健 ,  傅云义 ,  张酣

IPC: C01G51/04 ,  B82Y40/00 ,  B01J23/75 ,  B01J35/10

Abstract: 本发明提供了一种高密度四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法包括：在氩气气氛中，将钴片放置于加热容器中进行热处理，所述氩气气氛，是指用纯度为99.9％的纯氩气，以20ml/min的速率通入预先不抽真空的反应容器中，该气氛同时需要通过加热水来补充进入气路的水蒸气，加热水温为30～90℃，从而得到四氧化三钴纳米杆状结构。本发明所得到的密集分布的四氧化三钴纳米杆状物，长度大约为1μm左右，直径在100nm左右，多呈竹叶型，这种的形貌具有比表面积大的优点，在催化应用中，能吸附更多的气体，从而提高催化性能。

公开(公告)号：CN102145922A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110044160.2

申请日：2011-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 董昭 ,  魏芹芹 ,  许应瑛 ,  邓斯天 ,  张雄健 ,  傅云义 ,  张酣

IPC: C01G51/04

Abstract: 本发明提供了一种大面积高密度四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法具体包括：在纯氧气氛中，将钴片放置于管式炉中进行热处理，并在氧气氛中通入适量水蒸气，水蒸气可通过加热水而获得，其水的加热温度控制在30～90℃。本发明所制备的密集分布的四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构，厚度大约为100nm左右，宽度大约为200～500nm左右，长度在1～3μm之间。本发明可以实现大面积制备四氧化三钴，可提高其催化性能；尤其在锂离子电池领域，由于四氧化三钴样品与电解液接触面积更大，故在提高锂离子电池性能方面具有潜在的应用前景。另外，本发明所用设备和工艺较为简单、成本低廉。

公开(公告)号：CN101607744B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910087898.X

申请日：2009-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张雄健 ,  董昭 ,  张酣

IPC: C01G53/04 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明公开了一种制备氧化镍薄膜的方法。该方法是采用直接氧化法制备氧化镍薄膜，包括以下步骤：在包括a)气体和b)气体的混合气氛中，将镍或镍钨合金置于反应器中进行热处理，得到所述氧化镍薄膜；所述a)气体为氩气、氮气或腐蚀性气体；所述腐蚀性气体由SO2、CO2和N2组成；所述b)气体为氧气；所述a)气体与所述b)气体的体积比为99.3-99.7∶0.3-0.7；所述热处理的过程如下：以4～6℃/min℃/min的速率，将反应器的温度从室温升至300℃，接着以2～3℃/min的速率，将反应器的温度升至480～550℃，保持12～18小时。采用本发明方法可以获得表面形貌良好的氧化镍薄膜，该薄膜表面颗粒度均匀，厚度可达到50～80 nm，而且本发明方法热处理温度在550℃以下，比较节约热能，为将来批量生长较长的二代超导带材打下坚实的基础。