-
公开(公告)号：CN114283867B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
-
公开(公告)号：CN112259680A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
-
公开(公告)号：CN109941991A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910327755.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层-金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。
-
公开(公告)号：CN110211881B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910417221.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/16
Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。
-
公开(公告)号：CN113380697A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110493173.1
申请日：2021-05-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/26 , C23C28/00
Abstract: 本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其他材料，从而简化了生产中的工艺制造过程。而且本发明中的制备工艺也可以与目前主流的半导体加工工艺相兼容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112038487A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
-
公开(公告)号：CN112038487B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010772285.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
-
公开(公告)号：CN112038486A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010771744.9
申请日：2020-08-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在平行于衬底表面的外磁场下实现器件具有M型磁阻曲线的方法，属于微纳尺度器件技术领域。该方法通过改变二维沟道的形状来改变沟道电流流向，使沟道电流具有至少两种流向，从而得到不同取向的磁阻曲线相叠加而产生的多种不同的M型磁阻曲线。由于沟道设计成非直线的形状，因此具备可拉伸的特点，故该种器件可以在柔性衬底上制备使用。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、组合沟道尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
-
公开(公告)号：CN117420330A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311213573.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳米线或纳米带先预制成两端器件，利用焦耳热对金属纳米线进行退火，并经电学预备操作稳定纳米线表面的初始形貌，然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度，将纳米线表面的三维金属凸起物调控至所需的形貌和高度。
-
公开(公告)号：CN112259680B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.024 seconds)
