-
公开(公告)号：CN108133891A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201611086000.3
申请日：2016-12-01
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/265 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/7397
摘要： 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N-漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽型IGBT及其制备方法，浮置P区的空穴可以复合掉部分沟槽型IGBT导通过程中的电子，降低沟槽型IGBT的饱和电流，改善沟槽型IGBT的短路特性，改善沟槽下方电场分布，减小沟槽下方电场的集中，从而增强其电压耐受能力。
-
公开(公告)号：CN107634008A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710552953.2
申请日：2017-07-07
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。
-
公开(公告)号：CN107658260A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710674475.2
申请日：2017-08-08
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/76237
摘要： 本发明提供了一种在基板上形成绝缘沟槽方法及半导体器件，其中，方法包括：在基板表面待形成所述绝缘沟槽的区域中形成绝缘层，可以作为绝缘沟槽的底部，具体的厚度可以根据器件类型和使用要求进行相应的调整，在基板表面行成绝缘层比较容易实现，而且厚度和区域范围比较容易控制，再在基板形成外延层，外延层的结构可以根据半导体器件类型决定，再在外延层上形成开口暴露出绝缘层，由此可以形成绝缘沟槽，相较于现有技术，不仅可以实现控制沟槽底部的绝缘层底部厚度，改善电场分布，实现不需要额外的设备和工艺，实现过程以及实现工艺简单。
-
公开(公告)号：CN107464835A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710530888.3
申请日：2017-07-03
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/7395
摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构，该终端结构包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中；槽体，位于半导体衬底的上表面中，槽体中填充介质；槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明，可在更短的距离内承受高电压，从而减小终端结构的面积，且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压，并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。
-
公开(公告)号：CN107634008B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710552953.2
申请日：2017-07-07
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。
-
公开(公告)号：CN106783984B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201611026227.9
申请日：2016-11-22
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。
-
公开(公告)号：CN108615677A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
-
公开(公告)号：CN106783984A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611026227.9
申请日：2016-11-22
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0603 , H01L29/66333
摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。
-
公开(公告)号：CN108615677B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
-
公开(公告)号：CN106816463A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710029590.4
申请日：2017-01-16
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/0623
摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
98 条记录 (耗时 0.154 秒)
