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公开(公告)号：CN106505092B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201610685489.X
申请日：2016-08-18
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本发明提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。
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公开(公告)号：CN108022972B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201610943892.8
申请日：2016-11-02
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。
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公开(公告)号：CN107706109A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711017441.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC-IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC-IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106816463A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710029590.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/0623
Abstract: 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。
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公开(公告)号：CN107706109B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711017441.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108133891A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201611086000.3
申请日：2016-12-01
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/265 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N-漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽型IGBT及其制备方法，浮置P区的空穴可以复合掉部分沟槽型IGBT导通过程中的电子，降低沟槽型IGBT的饱和电流，改善沟槽型IGBT的短路特性，改善沟槽下方电场分布，减小沟槽下方电场的集中，从而增强其电压耐受能力。
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公开(公告)号：CN107644903A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710827906.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107579057A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710827886.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种IGBT版图，尤其是一种能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，包括半导体基板，在半导体基板的中心区设置元胞区域以及位于所述元胞区域外圈的终端区域，元胞区域上方设置源极金属以及与所述源极金属电连接的源极压焊点；还包括用于将终端区域基区引出的辅助测试压焊点，所述辅助测试压焊点位于终端区域上方。本发明结构紧凑，能有效进行终端横向耐压测试，有利于确定IGBT耐压不足的状况。
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公开(公告)号：CN108615677B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
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公开(公告)号：CN108598011A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810444236.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT，在逆阻型IGBT的制造方法中，对支撑圆片进行背面键合后，对RB-IGBT芯片侧壁进行侧壁隔离加工。通过侧壁隔离加工，可实现高电压RB-IGBT芯片的反向耐压，进而可以实现高电压逆阻型IGBT的制造。同时，两次对支撑原片进行正面键合以及背面键合。通过两次的键合操作，可以实现直接侧壁扩散，从而大大缩短扩散隔离步骤中扩散所需要的时间，进而可以在较短时间内完成大厚度，高电压芯片的扩散操作，可实现高压(＞1700V)逆阻型IGBT芯片，拓宽了现有技术的电压范围。
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