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公开(公告)号：CN107544005A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710591993.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。
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公开(公告)号：CN108615677B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
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公开(公告)号：CN107544005B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710591993.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。
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公开(公告)号：CN108615677A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611125727.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，所述制备方法包括在衬底上预设的多个压力接触区对应的第一金属层上淀积第二金属层，形成金属电极；所述平面栅型压接式IGBT采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT，在压力接触区上淀积两层金属，可以消除衬底中沟道区承受的压力，进而消除压力对功率器件的影响。
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公开(公告)号：CN107305909A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610262790.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/06 , H01L29/0607 , H01L29/0821 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107256885A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710524879.3
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京工业大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L29/66333 , H01L29/7393
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。
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公开(公告)号：CN105820338A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610262796.7
申请日：2016-04-25
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司 , 中国科学院长春应用化学研究所
CPC classification number: C08G73/1067 , C08G73/1007 , C08G73/106 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供一种聚酰亚胺及其制备方法，本发明通过将具有非平面且有两个羟基的2,2’?二羟基?7,7’?二氨基?9,9’?螺双芴单体结构引入到聚合物中，合成出新型可溶性聚酰亚胺，再与光敏剂进行配伍得到高精度高稳定性光敏聚酰亚胺。该结构的树脂经曝光后光照部分更易溶解在碱性显影液中，从而显著缩短了显影时间及减少胶膜的损失，同时大幅度提高了图形的分辨度；该结构的树脂收缩率更低，能更好地与胶膜支撑面相匹配；光刻效果优异；并且在显影后进行高温处理时，本发明提供的聚酰亚胺更易于发生交联，从而显著提高胶膜的机械性能。本发明提供的制备方法，不仅缩短了生产周期、降低了生产成本，且有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN107256885B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201710524879.3
申请日：2017-06-30
Applicant: 北京工业大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。
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公开(公告)号：CN107658260A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710674475.2
申请日：2017-08-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76237
Abstract: 本发明提供了一种在基板上形成绝缘沟槽方法及半导体器件，其中，方法包括：在基板表面待形成所述绝缘沟槽的区域中形成绝缘层，可以作为绝缘沟槽的底部，具体的厚度可以根据器件类型和使用要求进行相应的调整，在基板表面行成绝缘层比较容易实现，而且厚度和区域范围比较容易控制，再在基板形成外延层，外延层的结构可以根据半导体器件类型决定，再在外延层上形成开口暴露出绝缘层，由此可以形成绝缘沟槽，相较于现有技术，不仅可以实现控制沟槽底部的绝缘层底部厚度，改善电场分布，实现不需要额外的设备和工艺，实现过程以及实现工艺简单。
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公开(公告)号：CN110571270A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910870940.9
申请日：2019-09-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置，其中，沟槽栅型IGBT器件，包括沟槽栅结构，其第四功能区层位于第三功能区层与第一电极之间，在第三功能区层上设置有第二功能区层，在第二功能区层的内部成型第一功能区层、第三电极、第一电极层和第二电极层，在第二电极上成型介质层，介质层位于第二电极与第三电极之间，第三电极的一端面与介质层接触，第三电极的另一端面和侧壁区域被第一电极层包围，第二电极层与介质层平行且与沟槽栅结构的底部区域接触，第一功能区层分别与第二电极和介质层接触且设置在沟槽栅结构的两侧，以及在沟槽栅结构设置第二电极层可使得沟槽栅型IGBT器件的反向传输电容得到有效降低。
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