公开(公告)号：CN114068728A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111547921.6

申请日：2021-12-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 董少华 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  金锐 ,  姚兆民

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。

公开(公告)号：CN110571270A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910870940.9

申请日：2019-09-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李立 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  高明超 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置，其中，沟槽栅型IGBT器件，包括沟槽栅结构，其第四功能区层位于第三功能区层与第一电极之间，在第三功能区层上设置有第二功能区层，在第二功能区层的内部成型第一功能区层、第三电极、第一电极层和第二电极层，在第二电极上成型介质层，介质层位于第二电极与第三电极之间，第三电极的一端面与介质层接触，第三电极的另一端面和侧壁区域被第一电极层包围，第二电极层与介质层平行且与沟槽栅结构的底部区域接触，第一功能区层分别与第二电极和介质层接触且设置在沟槽栅结构的两侧，以及在沟槽栅结构设置第二电极层可使得沟槽栅型IGBT器件的反向传输电容得到有效降低。

公开(公告)号：CN111682062A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010594130.8

申请日：2020-06-24

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 李立 ,  金锐 ,  王耀华 ,  董少华 ,  刘江 ,  高明超 ,  吴军民

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件，通过将缓冲层中与IGBT器件的有源区对应的区域设置为第一激活效率缓冲区，与IGBT器件的终端区对应的区域设置为第二激活效率缓冲区，且第二激活效率缓冲区的激活率大于第一激活效率缓冲区的激活效率，从而降低了终端区的空穴注入效率；IGBT器件芯片过流关断时，终端区注入的空穴在IGBT关断时都要通过主结进行收集，从而降低了有源区边缘主结处的电流集中现象，提高了器件的过流关断性能。

公开(公告)号：CN109216472A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810990583.5

申请日：2018-08-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 和峰 ,  刘钺杨 ,  金锐 ,  温家良 ,  连建红 ,  刘江 ,  董少华 ,  冷国庆 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。

公开(公告)号：CN216980575U

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202123173614.4

申请日：2021-12-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 董少华 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  金锐 ,  姚兆民

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本实用新型提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。

公开(公告)号：CN109148590A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811003587.6

申请日：2018-08-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司

发明人： 郑柳 ,  桑玲 ,  李嘉琳 ,  董少华 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66712

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：半导体层；栅极和源极，形成在所述半导体层上方；半导体区域，形成在栅极和源极之间的所述半导体层内，且所述半导体区域具有与所述栅极和/或所述源极交叠的部分；其中，所述半导体区域内的离子掺杂浓度为1E16‑5E21cm‑3，所述半导体区域与所述半导体层的导电类型相同。通过在栅极和源极之间的半导体层内形成半导体区域，该半导体区域具有与栅极和/或源极交叠的部分，其中，交叠部分的面积可以用于改变栅端和/或源端重合处的MOS电容，从而实现对栅控半导体器件的开关时间和开关损耗等开关特性的调制。

公开(公告)号：CN112582460A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910937911.X

申请日：2019-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  桑玲 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层(31)；所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构；所述绝缘钝化层(31)设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构；所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层(31)和所述层叠层之间。本发明可以实现受力面平整、受力均匀、绝缘栅受力小，可实现大面积互联。

公开(公告)号：CN112366227A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011061976.1

申请日：2020-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司 ,  电子科技大学

发明人： 王耀华 ,  董少华 ,  张金平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，绝缘栅双极晶体管包括N‑漂移区(4)、P型基区(5)、P型埋层(11)、N+发射区(6)；P型基区(5)位于N‑漂移区(4)上表面两侧，N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；P型埋层(11)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部，P型埋层(11)有效抑制绝缘栅双极晶体管发生闩锁效应，改善了绝缘栅双极晶体管的大电流关断能力，具有较好的坚固性；肖特基接触能够提高绝缘栅双极晶体管表面的载流子浓度，大大增强电导调制效应，从而使绝缘栅双极晶体管的导通压降降低，而且本发明提供的制备方法工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。

公开(公告)号：CN109244122A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810990558.7

申请日：2018-08-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 刘钺杨 ,  金锐 ,  和峰 ,  董少华 ,  刘江 ,  冷国庆 ,  温家良 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/868

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；多个不连续的第一绝缘凸起，形成在第一半导体层上；第一金属电极层，形成在多个不连续的第一绝缘凸起上。通过若干不连续的第一绝缘凸起，使得第一金属电极层相对于衬底为凹凸结构，当垂直压接力施加在第一金属电极层表面时，由于凸起的存在使得第一金属电极层产生横向形变，进而通过第一金属电极层的横向形变分散部分压接力，以减少作用在第一半导体层以及衬底上的压接力，缓解垂直压力对器件造成的应力损伤。

公开(公告)号：CN109212399A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810906443.5

申请日：2018-08-10

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  李玲 ,  董少华 ,  吴鹏飞 ,  张璧君 ,  杨霏 ,  潘艳

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。