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公开(公告)号：CN113162072B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110449595.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于光伏电站运行特性和光照强度的变下垂系数控制方法。该方法在光伏发电有功‑频率和无功‑电压下垂控制的基础上，结合太阳辐照度和光伏电站运行特性，对有功‑频率和无功‑电压下垂控制设置随太阳辐照度和光伏电站运行特性变化的下垂系数，从而让光伏发电更加充分的参与到电力系统调频和调压中。本发明通过增大有功‑频率特性曲线和无功‑电压特性曲线在运行点附近的下垂系数,减小频率和电压偏差，提高电力系统的稳定性；通过增大有功或无功调节裕量较大的光伏电站的下垂系数，使裕量较大的光伏电站在调频和调压过程中承担更多任务，各光伏电站充分发挥调频和调压能力，提高光伏电站间协调控制的精度。
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公开(公告)号：CN110391215B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910502083.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L21/98 , H01L23/538
Abstract: 本申请公开了一种功率模块及其制造方法，属于半导体封装技术领域。所述功率模块包括：基板；位于基板上方的至少两个芯片；位于芯片上方的连接组件，该连接组件包括金属柱和位于金属柱上方的复合母排，至少两个芯片通过金属柱和复合母排电气连接。本申请通过在功率模块的基板上方设置至少两个芯片，在芯片上方设置连接组件连接至少两个芯片，连接组件包括金属柱和复合母排，由于芯片之间通过金属柱和复合母排进行连接，从而较大程度降低了相关技术中通过铝线键合的方式连接芯片产生的寄生参数，提高了模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN108520870B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810338518.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种功率器件封装结构，该封装结构包括上电极板、功率半导体器件芯片、下电极板，所述功率半导体器件芯片位于所述上电极板和下电极板之间，其特征在于，所述封装结构还包括第一弹性电极片和/或第二弹性电极片，所述第一弹性电极片位于所述上电极板与所述功率半导体器件芯片之间，所述第二弹性电极片位于所述下电极板与所述功率半导体器件芯片之间。该封装结构有效缓解了零部件加工公差带来的应力集中问题，在保证导电良好的前提下能够减小封装结构中芯片的受力，有效提高功率器件封装的可靠性；同时由于该弹性电极片是由弹性导电擦了或其他具有良好弹性和导电性的材料制成，还能提高对芯片的导热作用。
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公开(公告)号：CN108550567B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810339861.0
申请日：2018-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。本发明的功率半导体器件在每个元胞的元胞栅与该元胞的元胞栅焊盘之间引入元胞栅电阻，提高芯片内元胞之间的动态一致性，改善芯片内的均流特性。选择所述元胞栅电阻阻值大于所述汇流条寄生电阻阻值，能够进一步降低汇流条寄生电阻的影响，较好地提高芯片元胞之间动态一致性。
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公开(公告)号：CN110391215A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910502083.7
申请日：2019-06-11
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L21/98 , H01L23/538
Abstract: 本申请公开了一种功率模块及其制造方法，属于半导体封装技术领域。所述功率模块包括：基板；位于基板上方的至少两个芯片；位于芯片上方的连接组件，该连接组件包括金属柱和位于金属柱上方的复合母排，至少两个芯片通过金属柱和复合母排电气连接。本申请通过在功率模块的基板上方设置至少两个芯片，在芯片上方设置连接组件连接至少两个芯片，连接组件包括金属柱和复合母排，由于芯片之间通过金属柱和复合母排进行连接，从而较大程度降低了相关技术中通过铝线键合的方式连接芯片产生的寄生参数，提高了模块的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550567A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810339861.0
申请日：2018-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。本发明的功率半导体器件在每个元胞的元胞栅与该元胞的元胞栅焊盘之间引入元胞栅电阻，提高芯片内元胞之间的动态一致性，改善芯片内的均流特性。选择所述元胞栅电阻阻值大于所述汇流条寄生电阻阻值，能够进一步降低汇流条寄生电阻的影响，较好地提高芯片元胞之间动态一致性。
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公开(公告)号：CN107765160B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710756098.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件的测试电路及测试方法，其中，测试电路包括电流源(1)、电感(2)、第一开关(3)、第一电压源(4)、待测IGBT器件(5)、第一吸收电路(6)和过电压限制装置(7)，其中：电流源(1)的正极通过电感(2)连接第一开关(3)的一端，第一开关(3)另一端连接待测IGBT器件(5)的集电极；第一电压源(4)的正极连接待测IGBT器件(5)的栅极，第一电压源(4)的负极连接电流源(1)的负极；待测IGBT器件(5)的发射极连接电流源(1)的负极；第一吸收电路(6)与过电压限制装置(7)并联在待测IGBT器件(5)的集电极和发射极之间。这种IGBT器件的测试电路所需要的测试设备成本低、体积小及测试操作可靠性高。
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公开(公告)号：CN108987350B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810712912.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/043 , H01L23/22 , H01L23/473 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件封装结构和方法，该封装结构包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，置在所述第一电极片和第二电极片之间；支撑部件，设置在所述半导体器件芯片的侧面，以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔，并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔。所述半导体器件在使用时，通过该支撑部件上的通孔向该腔体内注入导电流体，有效提高器件封装的可靠性；对半导体器件芯片有良好的散热作用；同时具有良好的自保护功能，一旦液体泄漏，上电极或下电极自动与芯片开路。
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公开(公告)号：CN107731768B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710806890.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。
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公开(公告)号：CN109473422A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811153245.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及压接器件技术领域，具体公开了一种压接器件的封装结构和电流测试方法，封装结构包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。一方面，可以通过罗氏线圈对电路板上的压接芯片进行电流检测；另一方面，罗氏线圈相当于直接设置于电路板内部，减小了罗氏线圈所占用的空间，无需扩大整个压接器件的封装结构的尺寸，仍然能够保证压接器件整体的高功率密度。另外，由于罗氏线圈是直接设置于电路板内部的，因此无需对罗氏线圈进行装配，使用非常方便。
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