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公开(公告)号：CN110231501B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910048374.3
申请日：2019-01-18
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN116230611A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111465401.0
申请日：2021-12-03
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。
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公开(公告)号：CN116190442A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111433944.4
申请日：2021-11-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，其中，该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区，所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内，且所述JFET区具有与栅极交叠的部分，所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3，所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区，该JFET区具有与栅极交叠的部分，其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容，从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制。
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公开(公告)号：CN116106592A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111333394.9
申请日：2021-11-11
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供一种探针台及IGBT芯片测试系统，探针台包括：导电载台，导电载台适于承载IGBT芯片且与IGBT芯片的集电极接触；绝缘支撑件，绝缘支撑件位于导电载台的侧部；绝缘升降件，绝缘升降件与导电载台相对设置并适于沿着绝缘支撑件作升降运动；探针组件，探针组件包括相互间隔的栅极探针和发射极探针，栅极探针的一端和发射极探针的一端分别贯穿绝缘升降件，栅极探针的相对端适于与IGBT芯片的栅极接触，发射极探针的相对端适于与IGBT芯片的发射极接触。探针台能够直接对IGBT芯片进行动态特性测试，避免了对IGBT芯片封装带来的寄生参数，提高了动态特性测试的结果的准确性。同时，还避免了对IGBT芯片进行封装，节约了封装成本。
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公开(公告)号：CN109212399B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810906443.5
申请日：2018-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。
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公开(公告)号：CN111952173A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010632701.2
申请日：2020-07-01
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/08 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。
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公开(公告)号：CN111312586A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010106956.5
申请日：2020-02-20
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/04 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
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公开(公告)号：CN111261723A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811453052.9
申请日：2018-11-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/02 , H01L21/329
摘要： 本发明提供了一种SiC JBS器件，包括：有源区和终端保护区，所述终端保护区布置在所述有源区周边，所述有源区包括多个P型区和肖特基接触区；所述有源区为矩形结构；所述多个P型区呈多行多列交错排列，所述肖特基接触区填充在各P型区之间。本发明提供的多个P型区呈多行多列交错排列，保证了SiC JBS器件的反向击穿特性的同时增加了肖特基势垒区域面积，提高了导通能力。
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公开(公告)号：CN109449139A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811129229.X
申请日：2018-09-27
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及定位标记的制备方法，其中，半导体器件包括半导体层；定位标记区域，形成在所述半导体层内；其中，所述定位标记区域是通过向所述半导体层内注入掺杂离子得到的；所述定位标记区域内的离子掺杂浓度为1×1015～1×1019cm-3。由于定位标记区域通过离子注入的方式形成在半导体层内，避免了在半导体层表面形成金属层所导致的非定位标记区域沉淀有金属离子；后续在利用具有定位标记区域的半导体层进行其他工艺的制备时，由于定位标记区域与非定位标记区域边界处的散射率和反射率差别较大，能够达到较好的对准效果，提高了该定位标记的定位准确性。
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公开(公告)号：CN114563676A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210190179.6
申请日：2022-02-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对多个MOSFET进行栅偏测试，高温反偏测试平台能同时对多个MOSFET进行反偏测试；电流采集模块采集高温栅偏测试平台的测试电流、高温反偏测试的测试电流，从而实现对多个MOSFET同时进行高温栅偏测试或高温反偏测试，节省了测试时间，提高了测试效率。
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