公开(公告)号：CN111693844B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202010797186.3

申请日：2020-08-10

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 张西子 ,  张喆 ,  吴军民 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  孙帅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。

公开(公告)号：CN115656561A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110745863.1

申请日：2021-07-01

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 唐新灵 ,  代安琪 ,  吴军民

IPC: G01R1/04 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备，压接型IGBT子模组测试适配器包括：上夹具与下夹具，下夹具适于与上夹具相对设置；上夹具包括：层叠且间隔设置的负极基板、正极基板和电感连接基板；下夹具包括：下基板，下基板适于设置IGBT子模组和陪测二极管；负极基板适于与IGBT子模组的发射极电学连接，正极基板适于与陪测二极管的阴极电学连接，下基板适于与陪测二极管的阳极、IGBT子模组的集电极以及电感连接基板电学连接。陪测二极管能够设置在适配器内部，缩减了功率回路的有效长度，从而降低了功率寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡现象，有利于提高测试结果的准确性。

公开(公告)号：CN113675257A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010410064.4

申请日：2020-05-15

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  电子科技大学

Inventor： 金锐 ,  刘江 ,  吴军民 ,  高明超 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种高压功率半导体器件结终端结构，包括：元胞结构和终端结构；在所述元胞结构上部具有弧形槽，所述终端结构包括多种不同导电类型的掺杂条；各不同导电类型的掺杂条相间设置于所述元胞结构上部的槽中，本发明有效解决了传统结终端扩展终端结构的工艺容差小，工艺复杂，终端耐压小，可靠性低的问题。

公开(公告)号：CN110211885B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201910467610.5

申请日：2019-05-30

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 武伟 ,  石浩 ,  赛朝阳 ,  唐新灵 ,  吴军民 ,  潘艳 ,  张朋 ,  李现兵

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

公开(公告)号：CN111682062A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010594130.8

申请日：2020-06-24

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

Inventor： 李立 ,  金锐 ,  王耀华 ,  董少华 ,  刘江 ,  高明超 ,  吴军民

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件，通过将缓冲层中与IGBT器件的有源区对应的区域设置为第一激活效率缓冲区，与IGBT器件的终端区对应的区域设置为第二激活效率缓冲区，且第二激活效率缓冲区的激活率大于第一激活效率缓冲区的激活效率，从而降低了终端区的空穴注入效率；IGBT器件芯片过流关断时，终端区注入的空穴在IGBT关断时都要通过主结进行收集，从而降低了有源区边缘主结处的电流集中现象，提高了器件的过流关断性能。

公开(公告)号：CN106685624B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201611116748.3

申请日：2016-12-07

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网河北省电力公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 喻强 ,  张浩 ,  李炳林 ,  黄在朝 ,  郭经红 ,  吴军民 ,  黄辉 ,  虞跃 ,  刘川 ,  姚继明 ,  卜宪德 ,  吕立冬 ,  孙晓艳 ,  田文锋

IPC: H04L5/00 ,  H04L12/24 ,  H04Q11/00

Abstract: 本发明提供一种频带分配方法及装置，通过将业务数据类型相同的多个网络单元分配至同一载波内，所述载波包括多个子载波；分别确定所占频带大于频带阈值的第一类型网络单元和所占频带小于或等于所述频带阈值的第二类型网络单元；调整所述第二类型网络单元所占用的子载波，使所述第二类型网络单元共用所述第一类型网络单元的子载波。本发明能够实时动态调整各个子载波分布，通过分配子载波以及保护间隔来满足不同网络单元传输频带的需求，最大限度的利用频带资源，在不对主用户造成干扰的情况下，实现频谱资源共享，从而在电力通信多业务隔离传输的基础上减少保护间隔，最大限度的利用波长容量，实现灵活高效的接入网络。

公开(公告)号：CN106656790B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201611191484.8

申请日：2016-12-21

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 虞跃 ,  喻强 ,  刘川 ,  吴军民 ,  张刚 ,  李炳林 ,  黄在朝 ,  张浩 ,  黄辉 ,  邓辉 ,  王玮 ,  吕立冬 ,  陈磊 ,  卜宪德 ,  姚启桂 ,  陶静 ,  沈文 ,  张增华 ,  王向群 ,  李春龙 ,  孙晓艳 ,  陈伟 ,  于海 ,  姚继明 ,  田文峰

IPC: H04L12/711 ,  H04L12/703 ,  H04L12/851

Abstract: 一种OpenFlow业务数据传输方法及装置，其中，所述方法包括：确定电力业务数据传输的软件定义网络的网络拓扑图；根据网络拓扑图确定电力业务数据的至少两个传输路径；监听软件定义网络通信故障；根据监听到的网络通信故障切换至少两个传输路径，传输电力业务数据。使得在网络通信故障发生时，能够通过其他传输路径来传输电力业务数据，从而提高电力业务数据的传输能力。

公开(公告)号：CN109216472A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810990583.5

申请日：2018-08-28

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山西省电力公司晋城供电公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 和峰 ,  刘钺杨 ,  金锐 ,  温家良 ,  连建红 ,  刘江 ,  董少华 ,  冷国庆 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。

公开(公告)号：CN111524796B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。