公开(公告)号：CN111524796A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010238731.5

申请日：2020-03-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 张红丹 ,  焦倩倩 ,  刘瑞 ,  吴昊 ,  李玲 ,  赛朝阳 ,  吴军民 ,  金锐 ,  汤广福

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入。本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。

公开(公告)号：CN111681943A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010344980.2

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 吴昊 ,  李玲 ,  朱涛 ,  姜春艳 ,  刘瑞 ,  张红丹 ,  焦倩倩 ,  蔡依沙

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积掺杂层；采用退火炉对含有所述掺杂层和氧化层的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟道电子迁移率，避免对碳化硅功率器件的性能造成影响，本发明采用退火炉对含有掺杂层和氧化层的碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深。

公开(公告)号：CN110784870A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911072111.2

申请日：2019-11-05

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王亮 ,  崔文朋 ,  乔磊 ,  刘瑞 ,  郑哲 ,  庄黎明

IPC分类号： H04W12/02 ,  H04W12/04 ,  H04W12/06 ,  H04L9/08

摘要： 本发明公开了一种无线局域网安全通信方法及系统、认证服务器，该无线局域网安全通信方法包括：认证节点向无线访问接入点发送基于局域网的可扩展认证协议启动消息。认证节点接收可扩展认证协议认证请求消息。认证节点发送可扩展认证协议认证响应消息。认证节点接收第一加密信息。认证节点采用认证服务器的第二公钥基于国密SM2算法对认证服务器的第一加密信息进行解密。认证节点接收第二加密信息并采用认证服务器的第二公钥对认证服务器的第二加密信息进行解密。认证节点接收到第三消息，则认证节点将第三PMK密钥信息进行存储。该无线局域网安全通信方法及系统、认证服务器能够提高通信安全性。

公开(公告)号：CN110146799A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910353351.3

申请日：2019-04-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李嘉琳 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  张红丹 ,  田丽欣 ,  吴昊

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01J5/00

摘要： 本发明涉及一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法，测试装置包括相互连接的半导体器件参数测试装置和红外热成像装置；半导体器件参数测试装置用于：放置待测芯片，并给待测芯片施加反向电压；红外热成像装置包括红外热成像仪和显示设备，红外热成像仪穿过半导体器件参数测试装置且位于所述待测芯片上方；显示设备与红外热成像仪连接，用于观测测试结果，确定芯片表面漏电位置。基于半导体芯片漏电位置测试装置的方法，是将待测芯片放置于半导体器件参数测试装置上，并开启红外热成像装置；给待测芯片施加反向电压，实时观察待测芯片表面热分布；根据待测芯片表面热分布，确定芯片表面漏电位置。

公开(公告)号：CN116230611A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111465401.0

申请日：2021-12-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。

公开(公告)号：CN110411987B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910818584.6

申请日：2019-08-30

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 乔磊 ,  廖志军 ,  刘瑞 ,  郑哲 ,  崔文朋 ,  池颖英 ,  陈婷 ,  李春晖

IPC分类号： G01N21/59 ,  H03M1/60 ,  H03K7/08 ,  G05B19/042

摘要： 本发明公开了一种SF6气体传感器的信号处理系统及信号处理方法，信号处理方法包括以下步骤：将SF6气体传感器输出的小信号通过频率转换器进行电压频率的转换，实现SF6气体传感器的小信号的频率化；通过运算放大器将小信号的频率信号放大；将放大后的频率信号输入模拟比较器，同时MCU调整PWM的占空比，将占空比输入模拟比较器的输入端，再将模拟比较器的输出端接入MCU的输入端，从而由MCU判断模拟比较器是否翻转；以及如果模拟比较器翻转，记录模拟比较器翻转时刻的PWM的频率值。本发明的SF6气体传感器的信号处理方法，其能够使产品的一致性比较好，测量精度、分辨率较高；同时减小了传感器体积，降低了传感器成本。

公开(公告)号：CN111411267A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911100231.9

申请日：2019-11-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司丹东供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 祝志祥 ,  张强 ,  陈保安 ,  李海龙 ,  张涛 ,  于春光 ,  潘连武 ,  陈新 ,  杨长龙 ,  丛培元 ,  周承玺 ,  殷鹏 ,  史哲 ,  刘瑞 ,  武小琳 ,  张志国 ,  刘晓龙 ,  王仲攀 ,  王勇 ,  朱洪波 ,  佟永吉 ,  刘岩 ,  吕忠华 ,  牟忠武 ,  郎大志 ,  王迪 ,  李禄洋 ,  张宏宇 ,  金鹏 ,  于鑫

IPC分类号： C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C1/03 ,  B21C37/04 ,  H01B1/02

摘要： 本发明涉及一种导电单丝材料及其制备方法，其特征在于，所述导电单丝材料由质量百分比计的以下组份制成：B：0.001～0.02％，Y：0.002～0.10％，Sc：0.002～0.10％，Zr：0.005～0.03％，Si：0.001～0.06％，Fe：0.001～0.12％，(V+Ti+Cr+Mn)≤0.008％，余量为铝和不可避免的微量杂质。通过控制B、Zr、Y、Sc微合金化元素的含量，开发出室温导电率≥61.5％IACS(20℃)，抗拉强度≥180MPa，延伸率≥2.6％，耐热温度为150℃且230℃加热1h后强度残余率大于90％的导电单丝材料。

公开(公告)号：CN110411987A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910818584.6

申请日：2019-08-30

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网江西省电力有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 乔磊 ,  廖志军 ,  刘瑞 ,  郑哲 ,  崔文朋 ,  池颖英 ,  陈婷 ,  李春晖

IPC分类号： G01N21/59 ,  H03M1/60 ,  H03K7/08 ,  G05B19/042

摘要： 本发明公开了一种SF6气体传感器的信号处理系统及信号处理方法，信号处理方法包括以下步骤：将SF6气体传感器输出的小信号通过频率转换器进行电压频率的转换，实现SF6气体传感器的小信号的频率化；通过运算放大器将小信号的频率信号放大；将放大后的频率信号输入模拟比较器，同时MCU调整PWM的占空比，将占空比输入模拟比较器的输入端，再将模拟比较器的输出端接入MCU的输入端，从而由MCU判断模拟比较器是否翻转；以及如果模拟比较器翻转，记录模拟比较器翻转时刻的PWM的频率值。本发明的SF6气体传感器的信号处理方法，其能够使产品的一致性比较好，测量精度、分辨率较高；同时减小了传感器体积，降低了传感器成本。

公开(公告)号：CN113433798A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110577487.X

申请日：2021-05-26

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司

发明人： 吴沛飞 ,  刘瑞 ,  朱涛 ,  姚兆民 ,  王克胜

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 本发明提供一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法和装置，对晶圆的氧化层进行增粘处理；在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻，能够保证光刻后的图形线条均匀，线条边缘整齐，进而提高工艺质量。本申请中氧化层表面增粘剂的厚度范围为10nm‑20nm，不仅厚度均匀，且避免被表面张力拉裂而起不到增粘作用，导致光刻胶与氧化层裂开，且保证了光刻胶厚度足以对厚度范围内氧化层进行充分保护，通过合理设置工艺参数，实现了套刻精度小于0.05μm，且将线宽损失量的精度控制在0.05微米内，有效实现了光刻工艺精度的控制，且提高了光刻精度。

公开(公告)号：CN109860283A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910040864.9

申请日：2019-01-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 朱涛 ,  刘瑞 ,  曹功勋 ,  吴昊 ,  金锐 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。