发明公开
- 专利标题： 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
-
申请号： CN202011061976.1申请日： 2020-09-30
-
公开(公告)号： CN112366227A公开(公告)日： 2021-02-12
- 发明人: 王耀华 , 董少华 , 张金平
- 申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 电子科技大学
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司,电子科技大学
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司,电子科技大学
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/47 ; H01L29/739 ; H01L21/331
摘要：
本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，绝缘栅双极晶体管包括N‑漂移区(4)、P型基区(5)、P型埋层(11)、N+发射区(6)；P型基区(5)位于N‑漂移区(4)上表面两侧，N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；P型埋层(11)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部，P型埋层(11)有效抑制绝缘栅双极晶体管发生闩锁效应，改善了绝缘栅双极晶体管的大电流关断能力，具有较好的坚固性；肖特基接触能够提高绝缘栅双极晶体管表面的载流子浓度，大大增强电导调制效应，从而使绝缘栅双极晶体管的导通压降降低，而且本发明提供的制备方法工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。
IPC分类:
