公开(公告)号：CN107256885A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710524879.3

申请日：2017-06-30

申请人： 北京工业大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 吴郁 ,  郭勇 ,  金锐 ,  郭晨 ,  李立 ,  李彭 ,  刘晨静

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393

摘要： 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。

公开(公告)号：CN107256885B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201710524879.3

申请日：2017-06-30

申请人： 北京工业大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 吴郁 ,  郭勇 ,  金锐 ,  郭晨 ,  李立 ,  李彭 ,  刘晨静

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供了一种高可靠性绝缘栅双极晶体管(IGBT)，包括N型单晶硅衬底，位于衬底上表面的P阱，P阱深度不小于P阱结深的隔离槽及槽底氧化层，相邻隔离槽之间的浮空P阱，紧靠P阱上表面的N+源区，位于N+源区下方且与隔离槽相邻的P+浅阱，位于衬底上表面的栅氧化层，位于两P阱之间的厚度大于栅氧化层的颈区氧化层，颈区氧化层上表面依次设有二氧化硅层、多晶硅层、介质层，跨越并暴露N+源区和P+浅阱并与相邻隔离槽交叠的发射极和发射极接触孔槽，位于衬底下表面的掺杂层和集电极，在常规的自对准平面型IGBT结构基础上，加入隔离槽及槽底局域氧化层结构，改善了IGBT器件的整体性能，使之成为具有抗辐射能力的高可靠性IGBT。

公开(公告)号：CN107544005B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201710591993.8

申请日：2017-07-19

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 付鹏宇 ,  金锐 ,  文腾 ,  王浩宇 ,  李立 ,  赵志斌

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。

公开(公告)号：CN108598011A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810444236.2

申请日：2018-05-10

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 刘江 ,  高明超 ,  赵哿 ,  崔磊 ,  王耀华 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/603

摘要： 本发明提供一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT，在逆阻型IGBT的制造方法中，对支撑圆片进行背面键合后，对RB-IGBT芯片侧壁进行侧壁隔离加工。通过侧壁隔离加工，可实现高电压RB-IGBT芯片的反向耐压，进而可以实现高电压逆阻型IGBT的制造。同时，两次对支撑原片进行正面键合以及背面键合。通过两次的键合操作，可以实现直接侧壁扩散，从而大大缩短扩散隔离步骤中扩散所需要的时间，进而可以在较短时间内完成大厚度，高电压芯片的扩散操作，可实现高压(＞1700V)逆阻型IGBT芯片，拓宽了现有技术的电压范围。

公开(公告)号：CN106098572A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610704091.6

申请日：2016-08-23

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 何延强 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  徐哲 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171

摘要： 本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。

公开(公告)号：CN107544005A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710591993.8

申请日：2017-07-19

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 付鹏宇 ,  金锐 ,  文腾 ,  王浩宇 ,  李立 ,  赵志斌

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。

公开(公告)号：CN107768260B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN107768260A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN105820338A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610262796.7

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司 ,  中国科学院长春应用化学研究所

发明人： 朱丹阳 ,  李立 ,  金锐 ,  刘江 ,  吴迪 ,  张春华 ,  杨正华

IPC分类号： C08G73/10 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08G73/1067 ,  C08G73/1007 ,  C08G73/106 ,  G03F7/039

摘要： 本发明提供一种聚酰亚胺及其制备方法，本发明通过将具有非平面且有两个羟基的2,2’?二羟基?7,7’?二氨基?9,9’?螺双芴单体结构引入到聚合物中，合成出新型可溶性聚酰亚胺，再与光敏剂进行配伍得到高精度高稳定性光敏聚酰亚胺。该结构的树脂经曝光后光照部分更易溶解在碱性显影液中，从而显著缩短了显影时间及减少胶膜的损失，同时大幅度提高了图形的分辨度；该结构的树脂收缩率更低，能更好地与胶膜支撑面相匹配；光刻效果优异；并且在显影后进行高温处理时，本发明提供的聚酰亚胺更易于发生交联，从而显著提高胶膜的机械性能。本发明提供的制备方法，不仅缩短了生产周期、降低了生产成本，且有利于规模化生产。

公开(公告)号：CN205984943U

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201620919433.1

申请日：2016-08-23

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 何延强 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本实用新型提供了高压半导体功率器件，包括硅衬底、氧化硅薄膜层、介质层、金属层、氮化硅薄膜层和聚酰亚胺保护层；聚酰亚胺保护层通过丝网印刷淀积在金属层或者氮化硅薄膜层上。与现有技术相比，本实用新型提供的一种高压半导体功率器件，应用于高温高压环境时具有稳定的击穿特性和漏电流。