公开(公告)号：CN106783984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN106783984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN106098572A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610704091.6

申请日：2016-08-23

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 何延强 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  徐哲 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171

摘要： 本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。

公开(公告)号：CN108133891A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201611086000.3

申请日：2016-12-01

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 朱涛 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  崔磊 ,  徐哲 ,  和峰 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N-漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽型IGBT及其制备方法，浮置P区的空穴可以复合掉部分沟槽型IGBT导通过程中的电子，降低沟槽型IGBT的饱和电流，改善沟槽型IGBT的短路特性，改善沟槽下方电场分布，减小沟槽下方电场的集中，从而增强其电压耐受能力。

公开(公告)号：CN106298512A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN106252244A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610843019.1

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L2224/05 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192

摘要： 本发明提供了一种终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积半绝缘多晶硅薄膜、氮化层、二氧化硅层和钝化层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种终端钝化方法及半导体功率器件，在半绝缘多晶硅薄膜上淀积氮化层，可以阻挡水汽和钠离子，从而提高半导体功率器件的可靠性。

公开(公告)号：CN106505092B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610685489.X

申请日：2016-08-18

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 温家良 ,  崔磊 ,  徐哲 ,  金锐 ,  王耀华 ,  赵哿

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本发明提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。

公开(公告)号：CN108022972B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201610943892.8

申请日：2016-11-02

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 徐哲 ,  温家良 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  崔磊 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。

公开(公告)号：CN106816463A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710029590.4

申请日：2017-01-16

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  温家良 ,  金锐 ,  徐哲 ,  王耀华 ,  高明超 ,  赵哿 ,  刘江 ,  朱涛 ,  和峰 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L29/0623

摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。

公开(公告)号：CN106298512B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。