公开(公告)号：CN106298512B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN107516681A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610424393.8

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN106298512A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN206271661U

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201621073091.2

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN205881912U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620582038.9

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN106098572A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610704091.6

申请日：2016-08-23

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 何延强 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  和峰 ,  徐哲 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171

摘要： 本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。

公开(公告)号：CN106816463A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710029590.4

申请日：2017-01-16

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  温家良 ,  金锐 ,  徐哲 ,  王耀华 ,  高明超 ,  赵哿 ,  刘江 ,  朱涛 ,  和峰 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L29/0623

摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。

公开(公告)号：CN106783984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN106783984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN108133891A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201611086000.3

申请日：2016-12-01

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 朱涛 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  崔磊 ,  徐哲 ,  和峰 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N-漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种沟槽型IGBT及其制备方法，浮置P区的空穴可以复合掉部分沟槽型IGBT导通过程中的电子，降低沟槽型IGBT的饱和电流，改善沟槽型IGBT的短路特性，改善沟槽下方电场分布，减小沟槽下方电场的集中，从而增强其电压耐受能力。