公开(公告)号：CN106298512B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN107516681A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610424393.8

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN106298512A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN206271661U

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201621073091.2

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN205881912U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620582038.9

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN106783984B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN107768260B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN107768260A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610701963.3

申请日：2016-08-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 温家良 ,  吴迪 ,  金锐 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  徐哲 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192

摘要： 本发明提供了一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，所述方法包括在半导体功率器件上顺次淀积介质层、玻璃钝化层和聚酰亚胺保护层，形成多层复合钝化层；半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种平面终端钝化方法及半导体功率器件，采用多层复合钝化层可以提高半导体功率器件的密封性，阻挡有害杂质离子向衬底表面扩散，同时采用玻璃钝化层可以降低对聚酰亚胺保护层的厚度和膨胀系数的要求，使得半导体功率器件工作于高温坏境时具有较高机械性能，不易发生脱落。

公开(公告)号：CN106783984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611026227.9

申请日：2016-11-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 崔磊 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  吴迪 ,  徐哲 ,  朱涛 ,  和峰 ,  高明超 ,  赵哿 ,  王耀华 ,  刘江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明提供了一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，所述双面终端结构包括衬底、设置在衬底上表面的正面终端区和设置在衬底下表面的背面终端区，该背面终端区包括多个间断的第一导电离子掺杂区；所述逆导型半导体器件包括上述双面终端结构。与现有技术相比，本发明提供的一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法，其终端结构可以在终端面积一定的情况下提高终端的整体耐压，提高终端结构的效率，其背面终端工艺与逆导型IGBT具有一定的兼容性。

公开(公告)号：CN105820338A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610262796.7

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司 ,  中国科学院长春应用化学研究所

发明人： 朱丹阳 ,  李立 ,  金锐 ,  刘江 ,  吴迪 ,  张春华 ,  杨正华

IPC分类号： C08G73/10 ,  G03F7/039

CPC分类号： C08G73/1067 ,  C08G73/1007 ,  C08G73/106 ,  G03F7/039

摘要： 本发明提供一种聚酰亚胺及其制备方法，本发明通过将具有非平面且有两个羟基的2,2’?二羟基?7,7’?二氨基?9,9’?螺双芴单体结构引入到聚合物中，合成出新型可溶性聚酰亚胺，再与光敏剂进行配伍得到高精度高稳定性光敏聚酰亚胺。该结构的树脂经曝光后光照部分更易溶解在碱性显影液中，从而显著缩短了显影时间及减少胶膜的损失，同时大幅度提高了图形的分辨度；该结构的树脂收缩率更低，能更好地与胶膜支撑面相匹配；光刻效果优异；并且在显影后进行高温处理时，本发明提供的聚酰亚胺更易于发生交联，从而显著提高胶膜的机械性能。本发明提供的制备方法，不仅缩短了生产周期、降低了生产成本，且有利于规模化生产。