公开(公告)号：CN107644810A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610574275.5

申请日：2016-07-20

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 高明超 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/05

摘要： 本发明提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，包括在第一金属层上方采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层并对第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀；将第二金属层采用溅射方法生长在第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构表面，并对第二金属层进行刻蚀；在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本发明提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，不需要对现有设备进行改进、操作简单。

公开(公告)号：CN107644810B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201610574275.5

申请日：2016-07-20

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 高明超 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，包括在第一金属层上方采用化学气相沉积方法形成第一薄膜层并对第一薄膜层刻蚀形成第一窗口；对第一窗口处暴露出的第一金属层进行反溅刻蚀；将第二金属层采用溅射方法生长在第一金属层和第一薄膜层形成的组合结构表面，并对第二金属层进行刻蚀；在第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面涂覆第二薄膜层，对第二薄膜层刻蚀形成用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本发明提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法，不需要对现有设备进行改进、操作简单。

公开(公告)号：CN106298512B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN106556791B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201610893753.9

申请日：2016-10-13

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  江苏同芯电气科技有限公司

发明人： 李金元 ,  王鹏 ,  潘艳 ,  温家良 ,  周细文 ,  谈浩楠 ,  吴鹏飞

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种大功率IGBT动态测试电路及其控制方法，所述测试电路包括高压充电器、控制/测量单元、电容器、负载电感单元和被测IGBT；高压充电器的输入端与交流电网连接，一个输出端与电容器并联，另一个输出端与控制/测量单元连接；负载电感单元和被测IGBT串联后与电容器并联；负载电感单元包括分别并联的电感、机械开关和续流二极管；控制/测量单元，用于控制被测IGBT和机械开关的通断，检测通过被测IGBT的电流及其端电压。与现有技术相比，本发明提供的一种大功率IGBT动态测试电路，通过切换机械开关的通断可以实现对被测IGBT进行多种类型的测试，提高了IGBT动态测试设备的利用率，同时也降低了设备成本。

公开(公告)号：CN106546895B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201610893731.2

申请日：2016-10-13

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  江苏同芯电气科技有限公司

发明人： 王鹏 ,  李金元 ,  潘艳 ,  温家良 ,  周细文 ,  谈浩楠 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，所述测试电路包括充电单元、RC谐振单元、整流单元和被测二极管；RC谐振单元包括串联的电容组和电感组，充电单元包括串联的电源和充电开关；RC谐振单元、整流单元和被测二极管分别并联；充电单元与电容组并联；所述方法包括：闭合充电开关，电源向电容组充电：当电容组的电压达到其预置值后断开充电开关；控制RC谐振单元向被测二极管输出浪涌电流；控制整流单元对浪涌电流整流进行浪涌测试；当浪涌测试完成后闭合反压测试开关进行耐压测试。与现有技术相比，本发明提供的一种二极管浪涌性能测试电路及其控制方法，能够向被测二极管持续输出正向浪涌电流，以测试被测二极管的重复浪涌性能。

公开(公告)号：CN107516681A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610424393.8

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/6609

摘要： 本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN106298512A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610842716.5

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN205881912U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620582038.9

申请日：2016-06-15

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。

公开(公告)号：CN206271661U

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201621073091.2

申请日：2016-09-22

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 曹功勋 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  徐哲 ,  和峰 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06

摘要： 本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括有源区、终端区和N型缓冲层；N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与N+阴极区接触；有源区包括多个P型掺杂区；终端区包括一个P型掺杂区；P型掺杂区均位于所述N型缓冲层的内部，且P型掺杂区的上边界与N型缓冲层的上边界之间的距离为1‑20um。与现有技术相比，本实用新型提供的一种快恢复二极管，各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，以及与N型缓冲层的边界间距均设置在一定范围内，使得快恢复二极管具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

公开(公告)号：CN205845937U

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201620769675.7

申请日：2016-07-20

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 高明超 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/285

摘要： 本实用新型提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，包括第一金属层和第二金属层；第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；第二金属层设置在第一薄膜层与第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本实用新型提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，能够缓冲压接式IGBT/FRD芯片承受的压力，减少压力对压接式IGBT/FRD芯片电特性的影响。