公开(公告)号：CN107464835A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710530888.3

申请日：2017-07-03

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杜文芳 ,  章文红 ,  蒲奎 ,  曾军 ,  穆罕默德·达尔维什 ,  王耀华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构，该终端结构包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中；槽体，位于半导体衬底的上表面中，槽体中填充介质；槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明，可在更短的距离内承受高电压，从而减小终端结构的面积，且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压，并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。

公开(公告)号：CN107634008A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710552953.2

申请日：2017-07-07

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杜文芳 ,  蒲奎 ,  章文红 ,  曾军 ,  穆罕默德·达尔维什 ,  王耀华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。

公开(公告)号：CN107634008B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201710552953.2

申请日：2017-07-07

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杜文芳 ,  蒲奎 ,  章文红 ,  曾军 ,  穆罕默德·达尔维什 ,  王耀华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。

公开(公告)号：CN109767986A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910069243.3

申请日：2019-01-24

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司

发明人： 蒲奎 ,  曾军 ,  章文红

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。

公开(公告)号：CN109767986B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910069243.3

申请日：2019-01-24

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司

发明人： 蒲奎 ,  曾军 ,  章文红

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。