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公开(公告)号：CN109309079A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811086298.7
申请日：2018-09-18
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司
发明人： 蒲奎 , 杜文芳 , 曾军 , 穆罕默德·恩·达维希 , 苏世宗
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法，涉及半导体技术领域。通过在衬底上形成第一掺杂层和第二掺杂层，在第一掺杂层和第二掺杂层以外的衬底中制作形成第一电极，在第一掺杂层和第二掺杂层内形成第二电极，并在第一电极和第二电极之间形成第三电极。在进行方块电阻测量时，通过第一电极和第二电极施加测试电流，通过第三电极施加偏置电压，第三电极在适当偏压下将沟道反型，将第一掺杂层和第三掺杂层连通，根据不同掺杂层的导电类型，合理设置电流流向，使第一掺杂层与第二掺杂层之间PN结在测试中处于零偏或轻微反偏。第二掺杂层在测量中处于旁路状态，实现对第一掺杂层方块电阻独立测量，提高方块电阻测量精度。
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公开(公告)号：CN109767986B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910069243.3
申请日：2019-01-24
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/28
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。
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公开(公告)号：CN107634008A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710552953.2
申请日：2017-07-07
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。
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公开(公告)号：CN109309079B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811086298.7
申请日：2018-09-18
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司
发明人： 蒲奎 , 杜文芳 , 曾军 , 穆罕默德·恩·达维希 , 苏世宗
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种半导体测试结构、制造方法及方块电阻测量方法，涉及半导体技术领域。通过在衬底上形成第一掺杂层和第二掺杂层，在第一掺杂层和第二掺杂层以外的衬底中制作形成第一电极，在第一掺杂层和第二掺杂层内形成第二电极，并在第一电极和第二电极之间形成第三电极。在进行方块电阻测量时，通过第一电极和第二电极施加测试电流，通过第三电极施加偏置电压，第三电极在适当偏压下将沟道反型，将第一掺杂层和第三掺杂层连通，根据不同掺杂层的导电类型，合理设置电流流向，使第一掺杂层与第二掺杂层之间PN结在测试中处于零偏或轻微反偏。第二掺杂层在测量中处于旁路状态，实现对第一掺杂层方块电阻独立测量，提高方块电阻测量精度。
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公开(公告)号：CN109767986A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910069243.3
申请日：2019-01-24
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/28
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。通过在制作栅极的过程中，先去除电极材料的一部分，使电极槽内保留的电极材料与第一隔离层之间形成隔离沟槽，同时隔离沟槽内可以再制作第二隔离层。如此，第一隔离层和第二隔离层的厚度之和会明显大于第一氧化层的厚度，从而使得第一电极和场板之间的隔离层的总体质量得到提高，使得半导体器件的栅源最大电压的极限值更高，同时可以解决器件的IGSS/HTGB失效问题，可以提高电极间的坚固性，提高器件的可靠性，器件的制作流程简单，隔离层的厚度可控，制作成本较低。
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公开(公告)号：CN107464835A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710530888.3
申请日：2017-07-03
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/7395
摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构，该终端结构包括：具有第一导电类型的半导体衬底；具有第一导电类型的第一半导体区，具有第二导电类型的第二半导体区，第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中；槽体，位于半导体衬底的上表面中，槽体中填充介质；槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明，可在更短的距离内承受高电压，从而减小终端结构的面积，且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压，并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。
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公开(公告)号：CN107634008B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710552953.2
申请日：2017-07-07
申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。
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