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公开(公告)号：CN110026881B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201811597659.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，是为批次式，包含贴附有研磨布的定盘，中心滚筒及导引滚筒，以及支承晶圆且与上述二个滚筒为得以旋转地接触的顶轮，研磨装置在通过定盘的旋转而使顶轮旋转的同时，将以顶轮所支承的晶圆推靠在研磨布而进行研磨，其中顶轮将支承晶圆的底盘予以支承在下方，而在与上述二个滚筒为相对向的区域设置有一个以上的外周沟，以外周沟以外的对向区域与上述二个滚筒接触，或是上述二个滚筒，在与顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟，以滚筒沟以外的对向区域与顶轮接触。
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公开(公告)号：CN114586132A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080073540.6
申请日：2020-10-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜；以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。由此，提供一种半导体基板的制造方法及半导体基板，即使在将设置于单晶硅基板与半导体单晶层之间的绝缘膜设置为氮化硅膜的情况下，也能够以简便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。
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公开(公告)号：CN110026881A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811597659.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，是为批次式，包含贴附有研磨布的定盘，中心滚筒及导引滚筒，以及支承晶圆且与上述二个滚筒为得以旋转地接触的顶轮，研磨装置在通过定盘的旋转而使顶轮旋转的同时，将以顶轮所支承的晶圆推靠在研磨布而进行研磨，其中顶轮将支承晶圆的底盘予以支承在下方，而在与上述二个滚筒为相对向的区域设置有一个以上的外周沟，以外周沟以外的对向区域与上述二个滚筒接触，或是上述二个滚筒，在与顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟，以滚筒沟以外的对向区域与顶轮接触。
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