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公开(公告)号：CN101835921A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200980100776.8
申请日：2009-05-20
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/067 , C30B25/06 , C30B29/10
摘要： 本发明提供溅射用靶、单晶性薄膜的制造方法以及显示装置。在通过磁控溅射来成膜LaB6薄膜时，改善所得到的LaB6薄膜的广域畴方向的单晶性。使用含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的溅射用靶。
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公开(公告)号：CN101689451A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880000760.5
申请日：2008-06-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要： 提供了一种使用硼镧化合物薄膜制造高强度电子发射装置的方法和设备。在布置有电子发射基础构件的第二基板上累积低功函数物质靶的溅射粒子。通过使用用于遮蔽电子发射基础构件区域并开放其它区域的掩模，对第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻，之后，利用密封剂密封第二基板和布置有荧光体的第一基板，以制作真空室。在制作步骤期间，将第一基板和第二基板始终维持真空环境或减压环境。
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公开(公告)号：CN101575698A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910136650.8
申请日：2009-05-08
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/067 , C23C14/3414 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01J37/3444
摘要： 提供了一种磁控溅射设备和薄膜制造方法。在本发明中，在通过溅射形成LaB6薄膜中，提高了所获得的LaB6薄膜中的宽区域方向上的单晶特性。在本发明的一个实施例中，向靶材施加来自高频电源的高频电力以及在截除来自第一直流电源的高频分量之后的第一直流电力，并且在施加高频电力和第一直流电力期间向基板座施加来自第二直流电源的直流电力。
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公开(公告)号：CN102132434A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132854.2
申请日：2009-08-12
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树 , 大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉
IPC分类号： H01L43/10 , C23C14/34 , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/081 , C23C14/225 , C23C14/5853 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01L27/222 , H01L43/12
摘要： 本发明提供了与以往相比具有更高MR比的磁阻元件。所述磁阻元件具有结晶性第一强磁性材料层、隧道阻碍层、结晶性第二强磁性材料层，这三层均具有由柱状晶的集合体形成的多晶结构，隧道阻碍层由含B原子与Mg原子且B原子含量为30原子％以下的金属氧化物层构成。
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公开(公告)号：CN101689452A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880001000.6
申请日：2008-06-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 栗林正树
CPC分类号： H01J9/26 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J31/127 , H01J2329/0413 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471
摘要： 提供一种用于制造使用硼镧化合物薄膜的高强度电子发射装置的方法和设备。在设置有电子发射基体构件的第二基板中露出电子发射基体构件区域，并且利用掩模遮蔽其它区域，从而溅射沉积低功函数物质靶材的溅射粒子。利用密封剂密封溅射沉积过的第二基板和设置有荧光体的第一基板以制成真空室。在制作工序期间，始终将第一和第二基板维持在真空环境或减压环境中。
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