发明公开
- 专利标题: 电子发射装置的制造方法及其存储介质或记录介质
- 专利标题(英): Method for manufacturing electron emission device and storage medium or recording medium therefor
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申请号: CN200880000760.5申请日: 2008-06-27
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公开(公告)号: CN101689451A公开(公告)日: 2010-03-31
- 发明人: 栗林正树
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 陈立航
- 国际申请: PCT/JP2008/061751 2008.06.27
- 国际公布: WO2009/157087 JA 2009.12.30
- 进入国家日期: 2009-03-18
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J9/26 ; H01J9/40
摘要:
提供了一种使用硼镧化合物薄膜制造高强度电子发射装置的方法和设备。在布置有电子发射基础构件的第二基板上累积低功函数物质靶的溅射粒子。通过使用用于遮蔽电子发射基础构件区域并开放其它区域的掩模,对第二基板上的低功函数物质的沉积物进行蚀刻,之后,利用密封剂密封第二基板和布置有荧光体的第一基板,以制作真空室。在制作步骤期间,将第一基板和第二基板始终维持真空环境或减压环境。