糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN111801397A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201980016231.2

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物含有银颗粒和单体,所述银颗粒彼此的界面因热处理而消失,形成银颗粒连结结构,上述银颗粒包括片状银颗粒和球状银颗粒,在下述测定条件下,以10℃/分钟的升温速度将该糊状粘接剂组合物从温度30℃升温至温度200℃,接着以温度200℃热处理60分钟,接着以10℃/分钟的升温时间从温度200℃升温至温度450℃,接着以温度450℃热处理10分钟时,将相对于升温前的该糊状粘接剂组合物的、以温度200℃热处理60分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W1[%]、以温度450℃热处理10分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W2[%]时,(W2-W1)/W2为0.20以上0.90以下。作为测定条件,测定方法为热重量测定(Thermogravimetry‑Differetial Thermal Analysis:TG‑DTA)装置,并且气氛为大气气氛。

    糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN113930167B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202111346092.5

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物是用作高反射粘接剂的糊状粘接剂组合物,其包含银颗粒、单体和主剂,通过将该糊状粘接剂组合物经30分钟从温度25℃升温至175℃,再以175℃热处理30分钟使其固化而获得的固化膜中,由相对于固化膜的平面以8°的角度入射的入射光产生的反射光的反射率分布满足以下的条件(A)、条件(B)和条件(C)。条件(A):对波长430nm的反射率B为45%以上。条件(B):对波长580nm的反射率Y为45%以上。条件(C):对波长650nm的反射率R为45%以上。

    糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN113930167A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111346092.5

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物是用作高反射粘接剂的糊状粘接剂组合物,其包含银颗粒、单体和主剂,通过将该糊状粘接剂组合物经30分钟从温度25℃升温至175℃,再以175℃热处理30分钟使其固化而获得的固化膜中,由相对于固化膜的平面以8°的角度入射的入射光产生的反射光的反射率分布满足以下的条件(A)、条件(B)和条件(C)。条件(A):对波长430nm的反射率B为45%以上。条件(B):对波长580nm的反射率Y为45%以上。条件(C):对波长650nm的反射率R为45%以上。

    糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN111801397B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201980016231.2

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物含有银颗粒和单体,所述银颗粒彼此的界面因热处理而消失,形成银颗粒连结结构,上述银颗粒包括片状银颗粒和球状银颗粒,在下述测定条件下,以10℃/分钟的升温速度将该糊状粘接剂组合物从温度30℃升温至温度200℃,接着以温度200℃热处理60分钟,接着以10℃/分钟的升温时间从温度200℃升温至温度450℃,接着以温度450℃热处理10分钟时,将相对于升温前的该糊状粘接剂组合物的、以温度200℃热处理60分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W1[%]、以温度450℃热处理10分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W2[%]时,(W2-W1)/W2为0.20以上0.90以下。作为测定条件,测定方法为热重量测定(Thermogravimetry‑Differetial Thermal Analysis:TG‑DTA)装置,并且气氛为大气气氛。

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