糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN111801397B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201980016231.2

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物含有银颗粒和单体,所述银颗粒彼此的界面因热处理而消失,形成银颗粒连结结构,上述银颗粒包括片状银颗粒和球状银颗粒,在下述测定条件下,以10℃/分钟的升温速度将该糊状粘接剂组合物从温度30℃升温至温度200℃,接着以温度200℃热处理60分钟,接着以10℃/分钟的升温时间从温度200℃升温至温度450℃,接着以温度450℃热处理10分钟时,将相对于升温前的该糊状粘接剂组合物的、以温度200℃热处理60分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W1[%]、以温度450℃热处理10分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W2[%]时,(W2-W1)/W2为0.20以上0.90以下。作为测定条件,测定方法为热重量测定(Thermogravimetry‑Differetial Thermal Analysis:TG‑DTA)装置,并且气氛为大气气氛。

    糊状粘接剂组合物和半导体装置

    公开(公告)号:CN111801397A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201980016231.2

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明的糊状粘接剂组合物含有银颗粒和单体,所述银颗粒彼此的界面因热处理而消失,形成银颗粒连结结构,上述银颗粒包括片状银颗粒和球状银颗粒,在下述测定条件下,以10℃/分钟的升温速度将该糊状粘接剂组合物从温度30℃升温至温度200℃,接着以温度200℃热处理60分钟,接着以10℃/分钟的升温时间从温度200℃升温至温度450℃,接着以温度450℃热处理10分钟时,将相对于升温前的该糊状粘接剂组合物的、以温度200℃热处理60分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W1[%]、以温度450℃热处理10分钟之后的该糊状粘接剂组合物的重量减少率的100分率设为W2[%]时,(W2-W1)/W2为0.20以上0.90以下。作为测定条件,测定方法为热重量测定(Thermogravimetry‑Differetial Thermal Analysis:TG‑DTA)装置,并且气氛为大气气氛。

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