公开(公告)号：CN108987264B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201810547951.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种形成外延衬底的方法，其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤：(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0；(2)生长由AlN制成的成核层，同时测量AlN成核层的生长表面的第二反射率R1；以及(3)当反射率的比值R1/R0进入预设范围时，结束AlN成核层的生长。

公开(公告)号：CN108987264A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810547951.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种形成外延衬底的方法，其中该外延衬底包括在由碳化硅(SiC)制成的衬底上生长的由氮化铝(AlN)制成的成核层。该方法包括以下步骤：(1)首先测量SiC衬底表面的第一反射率R0；(2)生长由AlN制成的成核层，同时测量AlN成核层的生长表面的第二反射率R1；以及(3)当反射率的比值R1/R0进入预设范围时，结束AlN成核层的生长。

公开(公告)号：CN107785243B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201710742634.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设置为比衬底的相对于源气体的流动的下游侧的温度高。

公开(公告)号：CN115132831A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210271918.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  野濑幸则

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分，抑制所述第一保护膜的绝缘击穿。

公开(公告)号：CN108122740A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711235300.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。

公开(公告)号：CN108122740B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201711235300.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。

公开(公告)号：CN107785243A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710742634.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/303 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设置为比衬底的相对于源气体的流动的下游侧的温度高。