公开(公告)号：CN107785243B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201710742634.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设置为比衬底的相对于源气体的流动的下游侧的温度高。

公开(公告)号：CN108122740A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711235300.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。

公开(公告)号：CN108122740B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201711235300.8

申请日：2017-11-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明披露了一种形成包括氮化物半导体层的外延衬底的方法。该方法包括以下步骤：(a)在衬底上生长成核层，以及(b)在成核层上生长氮化物半导体层。步骤(a)中分别在衬底的源气体流的上游侧和下游侧设置第一生长温度和第二生长温度，其中上游侧的第一温度比下游侧的第二温度低至少5℃且至多10℃，第二温度高于1100℃。本发明的方法降低了泄漏电流在衬底内的分散。

公开(公告)号：CN107785243A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710742634.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边整 ,  松田一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/303 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L29/778

Abstract: 本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设置为比衬底的相对于源气体的流动的下游侧的温度高。