公开(公告)号：CN105706201B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480056366.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 京瓷株式会社 ,  储能材料合同会社

Inventor： 平原诚一郎 ,  小野智之 ,  古内史人 ,  永吉麻衣子 ,  积洋二 ,  笠井修一 ,  鹤见敬章

IPC: H01G11/56

CPC classification number: H01G11/56 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1281 ,  H01G11/66

Abstract: 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。

公开(公告)号：CN105706201A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480056366.9

申请日：2014-09-29

Applicant: 京瓷株式会社 ,  储能材料合同会社

Inventor： 平原诚一郎 ,  小野智之 ,  古内史人 ,  永吉麻衣子 ,  积洋二 ,  笠井修一 ,  鹤见敬章

IPC: H01G11/56

CPC classification number: H01G11/56 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1281 ,  H01G11/66

Abstract: 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。

公开(公告)号：CN102870224B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN102893410A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180018806.8

申请日：2011-04-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 久保新太郎 ,  中泽秀司 ,  鎌田塁 ,  小栗诚司 ,  牛尾绅之介 ,  笠井修一 ,  稻井诚一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L27/142 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的含有化合物半导体的光吸收层（3），该光吸收层（3）具有位于电极层（2）侧的第一层（3A）以及设置于该第一层（3A）上的第二层（3B），并且第一层（3A）的空隙率小于第二层（3B）的空隙率。

公开(公告)号：CN102870223B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180019507.6

申请日：2011-06-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 鎌田塁 ,  笠井修一

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/046

CPC classification number: H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种第一半导体层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）包括：电极层（2）；配置在该电极层（2）上且含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体和氧的第一半导体层（3）；以及配置在所述第一半导体层（3）上且与所述第一半导体层（3）形成pn结的第二半导体层（4）。并且，在光电装置（10）中，对所述第一半导体层（3）而言，自所述第一半导体层（3）的层叠方向的中央部位于所述电极层（2）侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层（3）整体的氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN102870224A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020811.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 浅尾英章 ,  鎌田塁 ,  笠井修一 ,  小栗诚司 ,  田中勇 ,  堀内伸起 ,  梅里计匡

IPC: H01L31/04

Abstract: 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。

公开(公告)号：CN102870223A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180019507.6

申请日：2011-06-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 鎌田塁 ,  笠井修一

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供一种第一半导体层与电极层之间的粘接性高、且光电转换效率高的光电转换装置。本发明的光电转换装置（10）包括：电极层（2）；配置在该电极层（2）上且含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体和氧的第一半导体层（3）；以及配置在所述第一半导体层（3）上且与所述第一半导体层（3）形成pn结的第二半导体层（4）。并且，在光电装置（10）中，对所述第一半导体层（3）而言，自所述第一半导体层（3）的层叠方向的中央部位于所述电极层（2）侧的部位的氧摩尔浓度，大于所述第一半导体层（3）整体的氧摩尔浓度。