公开(公告)号：CN103439839B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310339744.1

申请日：2013-08-06

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 唐华 ,  赵冉

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： C23C16/44 ,  B05D1/02 ,  B05D1/08 ,  B05D1/10 ,  B05D3/105 ,  B05D3/107 ,  B05D5/00 ,  B05D7/50 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  C23C4/00 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C4/123 ,  C23C4/129 ,  C23C4/18 ,  C23C14/00 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/082 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/086 ,  C23C14/087 ,  C23C14/088 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  C23C16/406 ,  C23C16/407 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409 ,  C23C16/56 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/1316 ,  Y10T428/24752

摘要： 本发明提供一种形成膜层的方法和基板，属于膜层制备技术领域，其可解决现有的形成膜层方法易出现膜层不良的问题。本发明的形成膜层的方法包括在基板上形成第一层膜；对所述第一层膜进行第一次清洗；在所述第一层膜上形成第二层膜，所述第二层膜的材料与第一层膜的材料相同；对所述第二层膜进行第二次清洗。本发明的基板包括由上述形成膜层的方法制得的膜层。本发明可用于提升膜层品质。

公开(公告)号：CN103451618A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310356669.X

申请日：2013-08-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 赵冉 ,  唐华

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/5806 ,  C23C14/086

摘要： 本发明公开了一种透明导电氧化物膜层的制备方法，在基板上形成透明导电氧化物膜层；对透明导电氧化物膜层进行第一次退火处理；对经过第一次退火处理后的透明导电氧化物膜层进行第二次退火处理。由于增加了对透明导电氧化物膜层的第二次退火处理，使得透明导电氧化物膜层中过量的氧原子、膜层表面残留的氧原子以及其它杂质气体原子释放到退火环境中，可以降低透明导电氧化物膜层的方阻，提高透明导电氧化物膜层的导电能力。并且，第二次退火处理也可以使透明导电氧化物膜层中过量的低价氧化物得到充分氧化，形成具有理想化学配比结构的氧化物，从而提高透明导电氧化物膜层的光透过率。

公开(公告)号：CN103439839A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310339744.1

申请日：2013-08-06

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 唐华 ,  赵冉

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： C23C16/44 ,  B05D1/02 ,  B05D1/08 ,  B05D1/10 ,  B05D3/105 ,  B05D3/107 ,  B05D5/00 ,  B05D7/50 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  C23C4/00 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C4/123 ,  C23C4/129 ,  C23C4/18 ,  C23C14/00 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/082 ,  C23C14/083 ,  C23C14/085 ,  C23C14/086 ,  C23C14/087 ,  C23C14/088 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  C23C16/406 ,  C23C16/407 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409 ,  C23C16/56 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/1316 ,  Y10T428/24752

摘要： 本发明提供一种形成膜层的方法和基板，属于膜层制备技术领域，其可解决现有的形成膜层方法易出现膜层不良的问题。本发明的形成膜层的方法包括在基板上形成第一层膜；对所述第一层膜进行第一次清洗；在所述第一层膜上形成第二层膜，所述第二层膜的材料与第一层膜的材料相同；对所述第二层膜进行第二次清洗。本发明的基板包括由上述形成膜层的方法制得的膜层。本发明可用于提升膜层品质。

公开(公告)号：CN103451618B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310356669.X

申请日：2013-08-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 赵冉 ,  唐华

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/5806 ,  C23C14/086

摘要： 本发明公开了一种透明导电氧化物膜层的制备方法，在基板上形成透明导电氧化物膜层；对透明导电氧化物膜层进行第一次退火处理；对经过第一次退火处理后的透明导电氧化物膜层进行第二次退火处理。由于增加了对透明导电氧化物膜层的第二次退火处理，使得透明导电氧化物膜层中过量的氧原子、膜层表面残留的氧原子以及其它杂质气体原子释放到退火环境中，可以降低透明导电氧化物膜层的方阻，提高透明导电氧化物膜层的导电能力。并且，第二次退火处理也可以使透明导电氧化物膜层中过量的低价氧化物得到充分氧化，形成具有理想化学配比结构的氧化物，从而提高透明导电氧化物膜层的光透过率。

公开(公告)号：CN203185351U

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201320229830.2

申请日：2013-04-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 赵冉 ,  唐华 ,  许乐乐 ,  田金朋 ,  王华龙

IPC分类号： B25J15/06 ,  B25J9/08

摘要： 本实用新型提供的机械臂以及搬运机器，其中。本实用新型的机械臂上设置有用于吸取基板的真空吸盘，真空吸盘上设置有用于向基板与真空吸盘之间送气的送气孔。本实用新型的搬运机器，包括传动体以及连接于传动体上的机械臂，机械臂为本实用新型的机械臂。本实用新型的机械臂以及搬运机器可以有效防止真空吸盘与基板因为静电原因而粘连，保证真空吸盘与基板正常分离，避免基板损伤。

公开(公告)号：CN202485638U

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201220112063.2

申请日：2012-03-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 赵冉 ,  姜仔达 ,  唐华

IPC分类号： G01B11/06

摘要： 本实用新型公开了一种膜厚测量装置，包括：机台，分别安装在机台两对焦灯固定轴端部的上对焦灯和下对焦灯；两对焦灯相对设置，并分别位于待测膜所在产线的上下两侧；上对焦灯还连接有CCD；下对焦灯上方设置有可移动的反射拨片。本实用新型中，反射拨片为铝制金属片，由支撑架支撑和移动，以反射透过待测膜的光，进行基板下方膜厚测量；铝制反射拨片，表面光滑，反射率高，价格便宜；反射拨片位置可调，在不进行膜厚测量时，可将其调至不影响机台工作的位置，提高机台空间利用率；该装置同时还能对基板上方膜厚进行测量，实时监测产线的生产工艺流程，及时发现生产产品中的不良，提高生产效率。