基板处理装置及其真空形成方法

    公开(公告)号:CN102086512A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN201010532704.5

    申请日:2010-10-29

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置,包括:多个工作线,其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体;泵部,用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态;及,平衡阀,其设置于该第1预真空腔体与第2预真空腔体之间,用于均化该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度,该基板处理装置可以通过缩短预真空腔体的真空形成时间来缩短整个工程时间,并可以防止在预真空腔体的真空及大气压状态转换过程中基板受损的现象。

    用于制造锭块的设备和方法

    公开(公告)号:CN102131963B

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN200980133230.2

    申请日:2009-08-11

    CPC classification number: C30B29/06 C01B33/021 C30B11/003

    Abstract: 本发明关于一种用于制造锭块的设备和方法。根据本发明用于制造锭块的设备包含:坩埚,其用于容纳原材料;加热部件,其用于加热坩埚;支撑件,其用于支撑坩埚;绝热部件,其安置于加热部件的外部且与支撑件间隔开;以及可旋转的冷却部件,其安置于支撑件下方而支撑坩埚。根据本发明,旋转的冷却部件的冷却不仅传递到坩埚的下部部分,而且通过形成于绝热部件的下部部分与支撑件之间的空间传递到坩埚的侧面部分,使得熔化硅的中心和侧面部分可同时固化,进而制造具有优良晶体方向性的硅锭块。

    用于制造锭块的设备和方法

    公开(公告)号:CN102131963A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200980133230.2

    申请日:2009-08-11

    CPC classification number: C30B29/06 C01B33/021 C30B11/003

    Abstract: 本发明关于一种用于制造锭块的设备和方法。根据本发明用于制造锭块的设备包含:坩埚,其用于容纳原材料;加热部件,其用于加热坩埚;支撑件,其用于支撑坩埚;绝热部件,其安置于加热部件的外部且与支撑件间隔开;以及可旋转的冷却部件,其安置于支撑件下方而支撑坩埚。根据本发明,旋转的冷却部件的冷却不仅传递到坩埚的下部部分,而且通过形成于绝热部件的下部部分与支撑件之间的空间传递到坩埚的侧面部分,使得熔化硅的中心和侧面部分可同时固化,进而制造具有优良晶体方向性的硅锭块。

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