公开(公告)号：CN102086510A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010532693.0

申请日：2010-10-29

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 吴芝瑛 ,  李仁河 ,  朴完雨 ,  黄在君

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种磁石单元及包括其的喷镀装置，该磁石单元包括至少一个中央磁石和围绕该中央磁石周边的至少一个周边磁石，该中央磁石及该周边磁石中至少一个磁石在该中央磁石的长度方向或者在垂直于该长度方向的方向上往返移动。

公开(公告)号：CN106319462B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610515099.8

申请日：2016-07-01

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 朴完雨 ,  吴芝瑛 ,  黃秉檍 ,  李政洛 ,  崔时爀

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明提供如下的导电氧化层的沉积装置及方法，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管。所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

公开(公告)号：CN102086512A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010532704.5

申请日：2010-10-29

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 吴芝瑛 ,  李仁河 ,  朴完雨 ,  黄在君

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，包括：多个工作线，其分别包括设置于真空腔体与空气之间的第1预真空腔体及第2预真空腔体；泵部，用于形成该第1预真空腔体及第2预真空腔体内部的真空状态；及，平衡阀，其设置于该第1预真空腔体与第2预真空腔体之间，用于均化该第1预真空腔体与该第2预真空腔体之间的真空度，该基板处理装置可以通过缩短预真空腔体的真空形成时间来缩短整个工程时间，并可以防止在预真空腔体的真空及大气压状态转换过程中基板受损的现象。

公开(公告)号：CN106148906A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610323551.0

申请日：2016-05-16

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 黃秉檍 ,  吴芝瑛 ,  朴完雨 ,  金钟学

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/3471 ,  C23C14/357 ,  C23C14/564

Abstract: 本发明涉及利用微波的蒸镀装置。根据本发明的利用微波的蒸镀装置，向照射微波的导波模块与靶材之间供应气体，来分隔设置有导波模块的腔室的区域与设置有靶材的腔室的区域。如此，抑制靶材物质向导波模块侧移动，因此抑制靶材物质蒸镀于导波模块侧。从而，防止因为靶材物质蒸镀于导波模块侧而产生的颗粒Particle)与电弧(Arcing)现象使待蒸镀于基板的膜受损，因此具有能够提高膜质量的效果。另外，由于用于去除蒸镀于导波模块的靶材物质的维护作业周期变长，因此可具有节省成本的效果。

公开(公告)号：CN106319462A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610515099.8

申请日：2016-07-01

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 朴完雨 ,  吴芝瑛 ,  黃秉檍 ,  李政洛 ,  崔时爀

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02

CPC classification number: C23C14/3471 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供如下的导电氧化层的沉积装置及方法，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管。所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

公开(公告)号：CN102131963B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200980133230.2

申请日：2009-08-11

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 都镇永 ,  权赫大 ,  高桢翊 ,  梁熙哲 ,  李仁河 ,  朴完雨 ,  金奉哲

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B29/06 ,  C01B33/021 ,  C30B11/003

Abstract: 本发明关于一种用于制造锭块的设备和方法。根据本发明用于制造锭块的设备包含：坩埚，其用于容纳原材料；加热部件，其用于加热坩埚；支撑件，其用于支撑坩埚；绝热部件，其安置于加热部件的外部且与支撑件间隔开；以及可旋转的冷却部件，其安置于支撑件下方而支撑坩埚。根据本发明，旋转的冷却部件的冷却不仅传递到坩埚的下部部分，而且通过形成于绝热部件的下部部分与支撑件之间的空间传递到坩埚的侧面部分，使得熔化硅的中心和侧面部分可同时固化，进而制造具有优良晶体方向性的硅锭块。

公开(公告)号：CN102131963A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133230.2

申请日：2009-08-11

Applicant: 亚威科股份有限公司

Inventor： 都镇永 ,  权赫大 ,  高桢翊 ,  梁熙哲 ,  李仁河 ,  朴完雨 ,  金奉哲

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B29/06 ,  C01B33/021 ,  C30B11/003

Abstract: 本发明关于一种用于制造锭块的设备和方法。根据本发明用于制造锭块的设备包含：坩埚，其用于容纳原材料；加热部件，其用于加热坩埚；支撑件，其用于支撑坩埚；绝热部件，其安置于加热部件的外部且与支撑件间隔开；以及可旋转的冷却部件，其安置于支撑件下方而支撑坩埚。根据本发明，旋转的冷却部件的冷却不仅传递到坩埚的下部部分，而且通过形成于绝热部件的下部部分与支撑件之间的空间传递到坩埚的侧面部分，使得熔化硅的中心和侧面部分可同时固化，进而制造具有优良晶体方向性的硅锭块。